[发明专利]薄膜晶体管平面显示器面板的结构及其制造方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，包含：

一透光基板；

一缓冲层，形成于该透光基板上；

一顶部栅极薄膜晶体管结构，形成于该缓冲层上，其包含一沟道区；以及

一遮光结构，该遮光结构的部分区域形成于该沟道区的下方区域，以避免该沟道区受该平面显示器面板的一背光光源照射，且该缓冲层介于该遮光结构与该顶部栅极薄膜晶体管结构之间。

2、如权利要求1所述的薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，该透光基板为一玻璃基板。

3、如权利要求1所述的薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，该缓冲层选自氮化硅、氧化硅或是其组合所完成。

4、如权利要求1所述的薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，该遮光结构以选自铬、钼、钨等熔点高且不透光物质所完成。

5、如权利要求1所述的薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，该顶部栅极薄膜晶体管结构包含：

一半导体层，形成于该缓冲层上，其包含该沟道层及一源/漏极结构；

一栅极绝缘结构，形成于该半导体层上；

一栅极导体结构，形成于该栅极绝缘结构上，且覆盖于该沟道区的上方区域；

一介电层，形成于该栅极导体结构及该栅极绝缘结构上；

一导体接线结构，形成于该介电层上，且穿越部分该绝缘层与该栅极绝缘结构而与该源/漏极接触；

其中该半导体层还包含一轻掺杂漏极结构，其形成于该沟道区的外围区域，且该源/漏极结构系形成于该轻掺杂漏极结构的外围区域。

6、如权利要求5所述的薄膜晶体管平面显示器面板的结构，其特征在于，该半导体层为一多晶硅层。

7、一种薄膜晶体管平面显示器面板的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一透光基板；

于该透光基板上方依序形成一缓冲层及一顶部栅极薄膜晶体管结构；

于该透光基板上方形成一遮光结构，使该缓冲层介于该遮光结构与该顶部栅极薄膜晶体管结构之间，且该遮光结构的部分区域形成于该顶部栅极薄膜晶体管结构的沟道区的下方区域，以避免该沟道区受该平面显示器面板的一背光光源照射。

8、如权利要求7所述的薄膜晶体管平面显示器面板的制造方法，其特征在于，该顶部栅极薄膜晶体管结构的制造方法，包含下列步骤：

于该缓冲层上依序形成一半导体层及一光阻层，利用该遮光结构为光罩由下而上透过该透光基板对该光阻层进行曝光并去除曝过光的该光阻层；

以未曝光的该光阻层为罩幕，对该半导体层进行一重掺杂离子布植制造工艺而形成一薄膜晶体管的源/漏极结构；

于该半导体层上依序形成一栅极绝缘层及一第一导体层后，以一第二道光罩微影蚀刻制造工艺对该第一导体层定义出一薄膜晶体管的栅极导体结构；

于具有该栅极导体结构的该栅极绝缘层上方形成一介电层，以一第三道光罩微影蚀刻制造工艺对该栅极绝缘层及该介电层定义出一接触孔；以及

于具有该接触孔的该介电层上形成一第二导体层并以一第四光罩微影蚀刻制造工艺定义出一源/漏极接线结构。

9、如权利要求8所述的薄膜晶体管平面显示器面板的制造方法，其特征在于，该顶部栅极薄膜晶体管结构的制造方法进一步包含下列步骤：

以该栅极导体结构为罩幕，对该栅极绝缘层进行一轻掺杂离子布植制造工艺而形成一轻掺杂漏极结构。

10、如权利要求7所述的薄膜晶体管平面显示器面板的制造方法，其特征在于，该遮光结构的部分区域作为一黑色矩阵。