[发明专利]高密度集成电路构装结构及其方法

权利要求书

1.一种高密度集成电路构装结构，其特征在于，该结构包含：一基板；

多个金属层，位于部分的该基板上用以作为该基板上的一电路；

多个具焊接沾附性(Solder Wettability)的焊接垫，位于部分该金属层上以形成多个焊接界面；

一高可靠度屏蔽层，覆盖该多个金属层并在该高可靠度屏蔽层的表面露出该焊接垫；及

其中，上述的金属层与焊接界面之间不具有防焊膜(SolderMask)。

2.如权利要求1所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的高可靠度屏蔽层内包含多个开口。

3.如权利要求2所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的焊接垫位于该开口的一底部。

4.如权利要求2所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的焊接垫在一第一轴向上的平面的高度低于该高可靠度屏蔽层在一第一轴向上的平面的高度。

5.如权利要求4所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的第一轴向为垂直于该基板的一表面的方向。

6.如权利要求2所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的开口的一侧壁与一第二轴向呈现一角度。

7.如权利要求6所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的第二轴向为平行于该基板的一表面的方向。

8.如权利要求1所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的焊接垫在一第三轴向上的平面的高度高于该高可靠度屏蔽层在一第三轴向上的平面的高度。

9.如权利要求8所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的第三轴向为垂直于该基板的一表面的方向。

10.如权利要求1所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的焊接垫上更包含一迷你凸块(Mini-Bump)。

11.如权利要求1所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的焊接垫上更包含一预焊平台(Presoldering)。

12.如权利要求1所述的高密度集成电路构装结构，其特征在于，上述的高可靠度屏蔽层为一非感光型介电材层。

13.一种形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一基板；

形成一金属层于该基板上；

形成一第一光阻层于部分的该金属层上，并在该第一光阻层内形成多个开口；

形成多个具焊接沾附性(Solder Wetability)的焊接垫，其中任一该焊接垫位于任一该开口的底部并在该金属层上；

移除该第一光阻层；

形成一第二光阻层于部分的该金属层上；

以该第二光阻层及该第一焊接垫为屏蔽移除部分的该金属层并移除该第二光阻层以在该基板上形成多个电路与多个焊接界面，其中任一电路均为该金属层且任一焊接界面均由该金属层与其上的该焊接垫所组成；

形成一高可靠度屏蔽层于该基板、该焊接垫与该金属层上；及

移除部分的高可靠度屏蔽层以在该高可靠度层的表面露出该焊接垫。

14.如权利要求13所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的高可靠度屏蔽层内包含多个开口。

15.如权利要求14所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的焊接垫位于该开口的一底部。

16.如权利要求14所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的焊接垫在一第一轴向上的平面的高度低于该高可靠度屏蔽层在一第一轴向上的平面的高度。

17.如权利要求16所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的第一轴向为垂直于该基板的一表面的方向。

18.如权利要求14所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的开口的一侧壁与一第二轴向呈现一角度。

19.如权利要求18所述的形成高密度构装集成电路的方法，其特征在于，上述的第二轴向为平行于该基板的一表面的方向。