[发明专利]根据有关装置的信号诊断其装置故障的装置无效
申请号: | 02120643.0 | 申请日: | 2002-03-27 |
公开(公告)号: | CN1379440A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | 牛久幸広 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 罗亚川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 根据 有关 装置 信号 诊断 故障 | ||
前后参照相关申请
本申请根据2001/3/27提出的在先日本专利申请P2001-90585的优先权;在这里参照结合其全部内容。
发明领域
本发明涉及一种通过对来自多个传感器的多个信号进行多变量分析的办法,检测带有传感器的装置和传感器的故障的故障诊断装置。
技术背景
半导体装置的制造装置中,进行故障诊断。故障诊断中,利用多个传感器,观测电流、电压、电力、温度、排气量、声音振动等的多个信号。对这些多个信号施行统计性分析。根据该分析,获得对其制造装置的故障诊断有用的信息。
在多个传感器之中一个以上的传感器,虽然没有故障或断线等的异常,但是有时发生灵敏度异常。从发生了故障的传感器输出的信号变成异常值。根据该异常值,制造装置的诊断结果就变成发生了故障的这样诊断。
实际上制造装置没有故障,因而该诊断是错误诊断。与制造装置的故障频度相比,传感器灵敏度发生异常的频度很大。因此,为了提高故障诊断的可靠性,需要提高传感器灵敏度的稳定性。而且,需要提高传感器的检测精度。
传感器的灵敏度异常时,发现该灵敏度异常的传感器却花费时间。这时,制造装置即使是正常的,也不让制造装置运转。因此,有时发生装置不工作造成的损失。
发明内容
A按照本发明实施例的诊断装置包括:从多个传感器输入有关该装置的多个传感器信号的输入部;
算出该传感器信号的每个组合的识别空间的标量距离的运算部;
根据该标量距离是否包括在每个其组合的该识别空间的正常范围,输出每个该组合的多个标志信号的标志信号输出部;以及
根据每个该组合的该标志信号,判断该装置的故障的判定部。
附图说明
图1是CIM(计算集成制造系统)、排气装置和批处理装置具有第1实施例故障诊断装置的系统构成图。
图2是第1实施例故障诊断装置的构成图。
图3是第1实施例故障诊断装置在正常时诊断方法的流程图。
图4是第1实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的流程图。
图5是说明第1实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的信号处理流图。
图6是第1实施例故障诊断装置的判定数据。
图7是第1实施例故障诊断装置的子集(S1、S2)识别空间、正常范围和标量长的概念图。
图8是说明第1实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的详细信号处理流图。
图9A到9D是说明第2实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的信号处理流图。
图10是说明第1实施例故障诊断装置在诊断时的诊断结果表。
图11是第3实施例故障诊断装置的判定数据。
图12是第4实施例故障诊断装置的判定数据。
图13是第5实施例故障诊断装置的子集(S1、S2)的马哈拉诺比斯(MAHALANOBIS)空间、正常范围和马哈拉诺比斯·达克奇(MAHALANOBIS·DAGUCH)距离的概念图。
图14是说明第5实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的信号处理流图。
图15A到15C是说明第6实施例故障诊断装置在诊断时诊断方法的信号处理流图。
图16是说明第6实施例故障诊断装置在诊断时的诊断结果表。
图17是第7实施例具有故障诊断装置的系统的CIM和批处理装置的构成图。
具体实施方式
将参照附图,说明本发明的各个实施例。应该注意到,对所有附图上同一或相似的部件和构件都加上同一或相似的标号,而且对同一或相似的部件和构件的说明将加以省略或简化。
(第1实施例)
如图1所示,CIM具有第1实施例诊断装置8、5的系统78连接到成批处理装置75和连到成批处理装置75的局域网(LAN)6。CIM的主机7也连到LAN6上。批处理装置75具有可以制造半导体装置并配置传感器21到2n的工作室1。控制器2控制工作室1。诊断装置8诊断工作室1的故障。诊断装置8可进行传感器21到2n的异常检测。排气装置76具有对工作室1进行排气的真空泵3和对真空泵3进行故障诊断的诊断装置5。真空泵3中,配置有传感器11到1n。诊断装置5可对传感器11到1n进行异常检测。批处理装置75也可以是半导体装置的制造装置。诊断装置5检测真空泵3的故障诊断和传感器11、12、…1n的异常。配管4用于排气,连接在工作室1与真空泵3之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造