[发明专利]形成倒装式半导体封装的方法

权利要求书

1.一种形成倒装式半导体封装的方法，此方法包括步骤：

a)提供具有第一表面的布图的金属导体层，其中第一表面上具有互连位置图形；

b)在布图的金属导体层的第一表面上形成钝化层；

c)提供具有第一表面的半导体芯片，第一表面上具有焊盘图形，其中可再流动的导电淀积物淀积在焊盘上；

d)选择性地设置钝化清除剂；

e)将半导体芯片放到布图的金属导体层上，以形成组件，其中可再流动的导电淀积物临近部分钝化层，其中可再流动的导电淀积物与互连位置的图形相邻，并且其中钝化清除剂粘结到可再流动的导电淀积物上和部分钝化层上；和

f)再流组件，其中钝化清除剂基本上从布图的金属导体层上除去了钝化层的部分，并且其中可再流动的导电淀积物在半导体芯片上的焊盘和布图的金属导体层上的互连位置之间形成了导电互连。

2.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，在步骤a)之后的步骤包括步骤：在布图的金属导体层的互连位置形成凹坑，以便增加步骤f)过程中可流动导电淀积物的含量。

3.根据权利要求2所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的形成凹坑的步骤包括在布图的金属导体层的互连位置进行蚀刻的步骤。

4.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，形成钝化层的步骤b)包括在布图的金属导体层的第一表面上形成氧化物层的步骤。

5.根据权利要求4所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，在布图的金属导体层的第一表面上形成氧化物层的步骤b)包括根据布图的金属导体层的第一表面上的预定钝化图形布图氧化物层的步骤。

6.根据权利要求4所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的形成氧化物层的步骤包括烘焙布图的金属导体层的步骤。

7.根据权利要求4所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的形成氧化物层的步骤包括将布图的金属导体层暴露于相对潮湿的条件下的步骤。

8.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，选择性地设置钝化清除剂的步骤d)包括在可再流动的导电淀积物上淀积钝化清除剂的步骤。

9.根据权利要求8所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，在可再流动的导电淀积物上设置钝化清除剂的步骤包括用钝化清除剂涂覆可再流动的导电淀积物的步骤。

10.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，选择性地设置钝化清除剂地步骤d)包括在钝化层上根据互连位置的图形设置钝化清除剂的步骤。

11.根据权利要求10所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的在钝化层上设置钝化清除剂的步骤包括在钝化层上根据互连位置的图形印刷钝化清除剂的步骤。

12.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，在步骤e)之前的步骤包括将可再流动的导电淀积物于互连位置的图形对准的步骤。

13.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，还包括：在步骤f)之后，密封至少一部分组件以便在布图的金属导体层上形成半导体封装的步骤。

14.根据权利要求1所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，还包括：在步骤f)之后，清洗组件的步骤。

15.根据权利要求14所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的清洗的步骤包括等离子清洗的步骤。

16.根据权利要求14所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，还包括：在清洗步骤之后，密封至少一部分组件以便在布图的金属层上形成半导体封装的步骤。

17.根据权利要求16所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，所述的密封步骤包括模制步骤。

18.根据权利要求16所述的形成倒装式半导体封装的方法，其特征在于，还包括：在密封步骤之后，从布图的金属导体层分割半导体封装的步骤。