[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有相对的第一和第二主面；

漏极区域，按具有相对的2个面的层状形成在上述半导体衬底上，在上述半导体衬底的上述第二主面上露出一个面；

基极区域，在上述半导体衬底上形成，与上述漏极区域的另一面相接，具有部分地在多个场所处在上述半导体衬底的上述第一主面上露出的部分；

源极区域，在上述半导体衬底上形成，一面与上述基极区域相接，另一面在上述半导体衬底的上述第一主面露出，上述源极区域和上述基极区域在上述半导体衬底的上述第一主面中平面形成，在上述半导体衬底内形成接合面；

栅极绝缘膜，实际仅在沟槽的侧壁上形成，该沟槽形成为从上述半导体衬底的上述第一主面开始在纵向上将底面配置在上述漏极区域中；

栅极电极，埋置在上述沟槽内，形成在其上面位于比上述源极区域和上述基极区域的上述接合面更靠上部并且比上述半导体衬底的上述第一主面低的位置处；

埋置绝缘膜，埋置在上述沟槽内的未埋置上述栅极电极的部分中；

源极电极，在上述半导体衬底的上述第一主面上形成，与上述源极区域和上述基极区域相接。

2.根据权利要求1的半导体器件，还包括漏极电极，形成为在上述半导体衬底的上述第二主面上与上述漏极区域相接。

3.根据权利要求1的半导体器件，还包括氮化硅膜，内衬到在上述栅极电极的上面和上述沟槽的未埋置上述栅极电极的部分中露出的上述栅极绝缘膜上。

4.根据权利要求1的半导体器件，上述埋置绝缘膜是由回流形成的绝缘膜。

5.根据权利要求1的半导体器件，在上述栅极电极上形成的上述埋置绝缘膜具有不被上述栅极电极与上述源极电极之间的额定电压破坏的最低膜厚。

6.根据权利要求5的半导体器件，上述最低膜厚在上述额定电压为20V时为0.2微米以上。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有相对的第一和第二主面；

漏极区域，按具有相对的2个面的层状形成在上述半导体衬底上，在上述半导体衬底的上述第二主面上露出一个面；

基极区域，在上述半导体衬底上形成，与上述漏极区域的另一面相接，具有部分地在多个场所处在上述半导体衬底的上述第一主面上露出的部分；

源极区域，在上述半导体衬底上形成，一面与上述基极区域相接，另一面在上述半导体衬底的上述第一主面露出，上述源极区域和上述基极区域在上述半导体衬底的上述第一主面中平面形成，在上述半导体衬底内形成接合面；

栅极绝缘膜，在沟槽的侧壁上形成并且延伸至上述第一主面上，该沟槽形成为从上述半导体衬底的上述第一主面开始在纵向上将底面配置在上述漏极区域中；

栅极电极，埋置在上述沟槽内，形成在其上面位于比上述源极区域和上述基极区域的上述接合面更靠上部并且比上述半导体衬底主面低的位置处；

埋置绝缘膜，在上述栅极电极的上述上面、上述沟槽的未埋置上述栅极电极的部分以及在上述第一主面上延伸的上述栅极绝缘膜上形成，从上述半导体衬底的上述第一主面到上述栅极电极的上述上面的距离比从上述沟槽的开口端到上述栅极绝缘膜的延伸部端的距离长；

源极电极，在上述半导体衬底的上述第一主面上形成，与上述源极区域和上述基极区域相接。

8.根据权利要求7的半导体器件，还包括漏极电极，形成为在上述半导体衬底的上述第二主面上与上述漏极区域相接。

9.根据权利要求7的半导体器件，还包括氮化硅膜，插入在上述栅极绝缘膜和上述埋置绝缘膜之间。

10.根据权利要求7的半导体器件，上述埋置绝缘膜是由回流形成的绝缘膜。

11.根据权利要求7的半导体器件，在上述栅极电极上形成的上述埋置绝缘膜具有不被上述栅极电极与上述源极电极之间的额定电压破坏的最低膜厚。

12.根据权利要求11的半导体器件，上述最低膜厚在上述额定电压为20V时为0.2微米以上。

13.根据权利要求7的半导体器件，上述埋置绝缘膜表面带圆形，上述埋置绝缘膜的端部表面的接线与上述半导体衬底所成角度小于90度。