[发明专利]假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02116140.2 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1428870A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金海千;朴敏;文载京;邢昌熙;池弘九;安浩均 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院，未经韩国电子通信研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02116140.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
