[发明专利]液晶玻璃基板的化学抛光方法及化学抛光装置无效
申请号: | 02105963.2 | 申请日: | 2002-04-11 |
公开(公告)号: | CN1380572A | 公开(公告)日: | 2002-11-20 |
发明(设计)人: | 西山智弘;出口干郎;丝川胜博;小谷诚;沟口幸一 | 申请(专利权)人: | 西山不锈化学股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 玻璃 化学抛光 方法 装置 | ||
技术领域
本发明是关于液晶玻璃基板的化学抛光方法及其实施中使用的化学抛光装置的。该方法可以对液晶玻璃基板的外表面或者一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面进行化学抛光。
背景技术
以往的液晶玻璃基板的抛光方法有机械抛光法和化学抛光法。近来,对于液晶玻璃基板的品质改善提出了以下要求:(1)对于起初存在于液晶玻璃基板上的表面划痕的消除;(2)在将图案化的膜剥离后,在基板上留存的图案痕迹的消除;(3)在将液晶玻璃基板的板厚进行减薄时,该板表面平坦性的提高;(4)对于起初存在于一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面划痕的消除;(5)在将一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面的板厚进行减薄时,该板表面平坦性的提高;
对于上述这些品质改善要求来说,采用以往的机械抛光法,存在基板表面平坦性的不足、玻璃基板易发生破碎以及基板表面易产生划痕、抛光模样的残留、抛光能力的限制等不可避免的问题。特别是对于最近的大型基板,这些问题显得更严重。
另一方面,以往的化学抛光法,很难消除起初存在于液晶玻璃基板上的表面划痕和图案痕迹,在对基板厚度进行减薄时也易发生下面例子中的种种问题,很难保证能达到抛光表面没有划痕和图案痕迹的新玻璃时的品质水平。
例如,在特许第2722798号公报中,公开了一种对液晶玻璃基板的表面进行刻蚀的方法:在具有多个液晶显示单元面积的一对玻璃基板上,用密封材料将各显示单元的液晶封入领域分隔和粘接,组成显示单元的集合体。将该集合体浸渍到以氢氟酸为基本成分的刻蚀液中,对液晶玻璃基板的外表面进行刻蚀。该方法虽然能使玻璃基板的板厚减薄,但存在有产生后述缺陷的问题。
又如,在特开2000-147474号公报中,公开了一种对液晶玻璃基板的表面进行刻蚀的自动刻蚀装置:在含有氢氟酸的刻蚀液的储槽的底部,装有气泡发生装置,由该气泡发生装置产生的气泡对上述的刻蚀液进行搅拌,使得在刻蚀液槽中的玻璃基板的表面受到刻蚀。但是,在用15~17%的氢氟酸对液晶玻璃基板的外表面进行抛光的情况下,存在有产生后述缺陷的问题。
该发明中,想利用氮气的上升气泡对抛光液进行搅拌,以实现对玻璃表面的均匀抛光。但实际上存在如下问题:上升了的气泡和抛光液在到达液体表面后发生下降,该下降的流动妨害上升流动的均匀性,使得表面的抛光难于达到均一。
用上述的两个例子中所示的以往的化学抛光方法进行50~300μm厚度的抛光时,存在以下问题:(1)即使在荧光灯下也能确认产生白浊;(2)发生直径最大为0.2mm的凹痕。图14中示出了由表面糙度测量计测定的抛光后的表面情况;(3)凹痕的直径随着抛光量的增大而增大。图15中示出了凹痕的直径与抛光量的关系;(4)表面上的凹痕最多达50个/平方厘米。图16是单位面积的凹痕数与抛光量的关系图;从图16可以看出,单位面积的凹痕数随抛光量的增大而增加;(5)在荧光灯下能观测到产生表面波纹。图17中示出了抛光后表面的表面波纹的情况;(6)板厚不均匀,其最大值与最小值间的差值在20~100μm之间;(7)在抛光前,人为地在玻璃表面上制造划痕,该划痕在抛光后宽度增加、深度加深(参见图18和图19)。图18是在抛光前故意在表面划痕后,该表面的断面图。图19是抛光后的表面断面图。
再如:在对液晶玻璃基板表面先用铬(Cr)进行溅射,然后用彩色滤光器用的画素进行图形化后,在该基板变得不良时,通常将图形化后的铬膜剥离后进行机械抛光,图形痕迹可被消除,该抛光后的玻璃基板可被重新作为新玻璃基板使用。但是,在用以往的化学抛光法代替机械抛光时,图形痕迹消除不了,不能重新作为新玻璃基板使用。
本发明鉴于以上存在的问题,目的在于提供一种可以得到表面平坦性高的液晶玻璃基板的液晶玻璃基板的化学抛光方法。该方法采用含有氢氟酸与氟化物的混合物、无机酸、有机酸、阴离子表面活性剂和两性表面活性剂的化学抛光液,对液晶玻璃基板进行浸渍,使液晶玻璃基板的外表面以0.5~10μm/分钟的速度进行抛光,并且使硅氟化物等反应生成物不在液晶玻璃基板的表面进行再附着,能够得到表面平坦性高的液晶玻璃基板。
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