[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

在元件隔离层上形成具有同一特性的多个电阻器，并且在一个上述电阻器与相邻的上述电阻器之间至少存在一个扩散区，进而在各自的上述电阻器中配置多个上述电阻器和上述扩散区，使得上述电阻器与其周围对应的上述扩散区的距离做到彼此相等。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述元件隔离层由研磨工序形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

上述研磨工序为CMP工序。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

存在多个上述扩散区，而且多个上述扩散区为同一形状。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

存在多个上述扩散区，而且多个上述扩散区相对于各自的上述电阻器的中心线或中心点被配置在对称的位置上。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述电阻器被配置成其四周被上述扩散区围住。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述电阻器由多个子电阻器构成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

上述电阻器由相对于上述电阻器的中心线或中心点呈对称配置的上述多个子电阻器构成。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述扩散区的导电类型与上述电阻器的导电类型相同。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

上述扩散区的导电类型与上述扩散区下部的阱区的导电类型相同。

11.一种半导体装置，其特征在于：

在元件隔离层上形成了具有同一特性的多个电阻器，并且在一个上述电阻器与相邻的上述电阻器之间，至少存在一条金属布线，还配置有多个上述电阻器和上述金属布线，使得上述电阻器与其周围对应的上述金属布线的间距对每个上述电阻器而言都变得彼此相等。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：

上述元件隔离层由研磨工序形成。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：

上述研磨工序为CMP工序。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：

上述电阻器由多个子电阻器构成。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：

上述电阻器由相对于上述电阻器的中心线或中心点呈对称配置的上述多个子电阻器构成。