[发明专利]多口存储单元结构

权利要求书

1.一种将2M个单数位存储器单元组织为2N个模块的方法，其中M是N乘I乘J的乘积，而N、I和J是正整数，该方法包含步骤：

    (a)将该2M个单数位存储器单元分成N对，每对包含两个对称模块，其中

每个模块包含{J(j)xI}个单数位存储器单元，并且其中j＝1、2、3、…、N，并且

正整数I代表一个储存数据的位长；

    (b)将每个模块内的单数位存储器单元安排到J(j)xI二维阵列中，并且将每

个I单存储器单元连接到第一位线方向内的第一级位线，以及每个J(j)单存储器

位上第一阶字线，其中每个第一阶字线与第一级位线会在该单数位存储器单元之

一上交叉；

    (c)将每个模块内的每个第一级位线连接至对应的多模块第一级位线，即多

模块位线i其中i＝1、2、3、…I，其中多模块第一级位线被安排在与第一位线方

向不同的第二位线方向上，并且每个都连接到对应的第一阶读出放大器i，其中i＝1

、2、3、…I；以及

    (d)用一个模块选择信号来激活一个该模块内(即模块n，其中n为1到N

的正整数)的一个J(j)第一阶字线，并且运用I个读出放大器来探测来自每个该模

块n以及该模块n的相对应的对称模块的第一阶I位线的存储器单元信号，以及

读取由此形成的数据，从而使N模块共享该I个读出放大器。

    (e)连接一个存储单元电压装置以提供每一个存储单元一个比配电电压低，

比地极电压高的中间电压值域；以及

    (f)依照每一个第一极位线电压值比中间电压值域电压较高或较低而促成一

个读操作和写操作。

2.一种包含组织为2N个模块的2M个单数位存储器单元的存储器阵列单位，其中M是N乘I乘J的乘积，而N、I和J是正整数，该存储器阵列单位用N个第一级读出放大器操作，该单位包含：

    N对双对称模块，其中每个模块包含{J(j)xI}个单数位存储器单元，并且其

中i＝1、2、3、…、N，并且正整数I代表一个储存数据的位长；

每个模块包含一个J(J)xI二维阵列，并且其中每个I单存储器单元沿着第一位线方向连接到第一级位线，以及用第一级字线连接的每个J(j)单存储器位，其中每个第一级字线与该第一级位线会在该单数位存储器单元之一上交叉；

每个模块内的每个第一级位线连接至对应的多模块第一级位线，即多模块位线i，其中i＝1、2、3、…I，多模块第一级位线配置再与该第一位线方向不同的第二位线方向上，并且每个都连接到对应的第一级读出放大器i，其中i＝1、2、3、…I；以及

一个用来激活一个模块内(即模块n，其中n为从1到N的正整数)的一个J(j)第一级字线的模块选择信号装置，并且其中I读出放大器会激活以探测来自每个模块n以及模块n的相对应对称模块的第一级I位线的存储器单元信号，以及读取由此形成的数据，通过该N模块会共享I读出放大器。

一个连接于每一个存储单元的存储单元电压装置来对每一个存储单元提供一个比配电电压低而比地极电压高的中间电压值域，以致可依一个位线电压比每一个第一极位线的中间电压值域或较高或较低而促成一个读操作和一个写操作。

3.一种提供与多个第一级读出放大器一起操作的半导体存储器装置，包含：

一个存储器单元阵列，具有平行于第一方向的多个第一方向第一级位线；

该存储器单元阵列还包含多个与该第一方向第一级位线交叉的字线；

该存储器单元阵列还包含多个存储器单元，其中每个存储器单元耦合于一个第一方向第一级位线与一个用于储存数据的字线之间；以及

多个平行于不同于第一方向的方向[至少一个该不同方向]的多个不同方向第一级位线，其中每个不同方向第一级位线连接在多个第一方向第一级位线与一个该第一阶读出放大器之间。

一个连接于每一个存储单元的存储单元电压装置来对每一个存储单元提供一个比配电电压低而比地极电压高的中间电压值域，以致可依一个位线电压比每一个第一极位线的中间电压值域或较高或较低而促成一个读操作和一个写操作。