[发明专利]半导体器件和该器件的制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件，所述半导体器件的特征在于：

存储器元件的晶体管包括：

一个穿过栅极绝缘薄膜埋入在该半导体基片上形成的沟槽内的栅极电极；和

在该半导体基片表面侧的沟槽侧壁上形成的一个扩散层，

设置一个与该扩散层连接的露头电极，使得该露头电极穿过在该栅极电极上的一个绝缘薄膜，覆盖该栅极电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征为：在该半导体基片上形成一个元件隔开区域；和

形成一个与栅极电极连接的字线，使该字线与在半导体基片和元件隔开区域上形成的沟槽中的栅极电极连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征为：随着扩散层的深度增加，扩散层的杂质浓度降低。

4.一种其存储器元件和逻辑元件形成在同一块半导体基片上的半导体器件的制造方法，所述制造半导体器件的方法的特征在于，制造存储器元件的一个存储器晶体管的步骤包括：

在该半导体基片上和在该半导体基片上形成的元件隔开区域上形成一个沟槽的步骤；

在该沟槽内形成一个栅极绝缘薄膜的步骤；

形成一个栅极电极和一条字线，以充满该沟槽，同时该沟槽的上部未覆盖的步骤；

在该半导体基片表面侧，在沟槽的侧壁上形成一个扩散层的步骤；

形成一个覆盖该沟槽上部的绝缘薄膜的步骤；

在栅极电极上形成一个接触孔，使该接触孔穿过绝缘薄膜达到扩散层，以覆盖该栅极电极的步骤；

在该接触孔内形成一个露头电极的步骤；和

进行热处理以激活该露头电极的步骤；以及

制造逻辑元件的一个逻辑晶体管的步骤包括：

在包括栅极电极和字线的同一个层上，在该半导体基片上，形成一个虚拟的栅极图形的步骤；

利用该虚拟的栅极图形作为掩模，形成逻辑晶体管的一个低浓度扩散层的步骤；

在该虚拟的栅极图形的侧面上形成一个侧壁的步骤；

利用该虚拟的栅极图形和该侧壁作为掩模，形成逻辑晶体管的扩散层的步骤；

利用绝缘薄膜，覆盖在同一层上的虚拟的栅极图形的步骤；

在该接触孔内形成该露头电极后，在使该绝缘薄膜平面化的过程中，露出该虚拟的栅极图形的上部的步骤；

在进行了激活该露头电极的热处理之后，通过除去该虚拟的栅极图形形成一个栅极沟槽的步骤；和

在该栅极沟槽中，形成一个穿过栅极绝缘薄膜的栅极电极的步骤。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征为，随着扩散层的深度增加，扩散层的杂质浓度减小。