[发明专利]处理不导电底衬的方法和装置

说明书

发明领域

本发明涉及处理底衬的方法和装置，具体涉及处理不导电底衬例如用于磁盘和光盘的玻璃底衬的方法和装置。

背景技术

典型的磁盘镀层包括下面的镀铬层、一个或多个储存信息的磁性层和外层碳涂层。这些涂层连续地形成在适当的底衬上。不同的层在多室溅射涂层系统的不同室中形成。在例如Hughes等于1993.6.1提出的美国专利NO5215460中公开了这种溅射涂层系统，并且这种系统可以从加里佛尼亚Snta clara的Intevac Inc公司买到。

磁盘通常用金属底衬制作，在底衬上形成各种层期间，可以将偏压加在金属底衬上。利用这种偏压可以使处理室中的离子加速飞向底衬。取决于具体的处理，与不加偏压的底衬相比较，使离子加速飞向底衬可以增加沉积速率，并且可以利用离子轰击改变磁盘表面，由此产生其它一些需要的效果。在金属底衬的情况下，偏压可以通过指形件加到底衬上，该夹持件用于将磁盘夹持到处理位置。

在某些应用中，最好采用不导电的底衬。例如在制造便携式计算机的磁盘时利用玻璃底衬，因为玻璃底衬的重量轻而且耐用。然而在处理玻璃底衬时会产生问题，因为玻璃底衬不能施加偏压。因此，金属底衬的处理方法不能直接用于处理玻璃底衬。为此，处理玻璃底衬比处理金属底衬慢，导致成本增加，而且形成在玻璃底衬上的镀层的特性可能不同于形成在金属底衬上的镀层特性。因此，很需要提供一种处理不导电底衬例如玻璃底衬的方法和装置。

发明概要

按照本发明的一个方面，提供了一种处理不导电底衬例如玻璃底衬的方法。该方法包括以下步骤：夹持待处理的不导电底衬；在不导电底衬上镀上导电镀层；通过接触装置将偏压加在导电镀层上，该接触装置电接触不导电底衬边缘的导电镀层；在靠近底衬的表面的等离子体中产生离子。由于在导电镀层上施加偏压，所以等离子体中的离子可加速飞向底衬表面。通常，在第一处理站将导电镀层镀在不导电底衬上，而在第二处理站将偏压通过接触装置加在导电镀层上。

在底衬是一个圆盘时，偏压可以通过切向接触盘的边缘加在导电镀层上。可以用一个或多个接触销将偏压加于底衬。该一个或多个接触销可以在接触位置和退回位置之间移动。按照本发明的另一方面，提供了一种处理不导电底衬的装置。该装置包括夹持不导电底衬以便进行处理的装置、在不导电底衬上镀导电镀层的装置，用于通过接触装置将偏压加在镀层上的装置，以及在靠近底衬表面的等离子体中产生离子的装置，该接触装置在不导电底衬的边缘电接触该导电镀层，其中，利用加在导电镀层上的偏压可使离子加速冲向底衬。

按照本发明的再一方面，提供了一种不导电底衬的装置。该装置包括：处理站；圆盘夹具，配置在处理站中，用于夹持具有导电镀层的不导电圆盘，该圆盘夹具包括用于在不导电圆盘边缘电接触导电镀层的接触组件；电源，通过接触组件将偏压加在不导电圆盘的导电镀层上；在靠近圆盘表面的等离子体中产生离子的离子源。利用加于导电镀层的偏压可使离子加速冲向圆盘表面。按照本发明的又一方面，提供一种在处理期间夹持圆盘的夹具组件。该夹具组件包括：夹具支架；装在该夹具支架上的用于夹住磁盘的许多夹具部件；装在该支架上的用于电接触磁盘边缘的接触装置；使接触装置在接触位置和退回位置之间移动的机构；用于将接触装置连接于电源的导电路径。

按照本发明的又一方面，圆盘处理系统包括用于在处理期间夹住圆盘边缘的圆盘夹具、第一和第二处理站以及使圆盘和圆盘夹具从第二处理站移到第二处理站的传送装置。该夹具包括接触不导电圆盘的接触装置以及使该接触装置在与圆盘边缘接触的接触位置和退回位置之间移动的机构。第一处理站将导电镀层镀在由夹具夹持的圆盘上，此时，接触装置位于退回位置。第二处理站在靠近由该夹具夹持的圆盘表面的等离子体中产生离子，此时，接触装置位于与导电镀层接触的接触位置，并可将偏压加在该接触装置上。这样，利用加在导电镀层上的偏压可使等离子体中的离子加速冲向圆盘。

附图简要说明

为更清楚理解本发明，下面参考作为参考包含在本文中的附图进行说明，这些附图是：

图1是示意顶视图，示出本发明底衬处理系统的一个例子；

图2是示意侧视图，部分为截面图，示出图1所示的底衬处理系统；

图3是本发明实施例的圆盘夹具的透视图；

图4是图3所示圆盘夹具的透视图，部分为截面图，图中示出接触销组件；

图5是处理系统的局部简化方块图，示出可退回的接触销的操作；

图6是程序方块图，示出图5所示处理系统的操作；