[发明专利]半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置

说明书

[技术领域]

本发明涉及半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置。

[背景技术]

如追溯半导体器件的高密度封装，则裸芯片封装是理想的。然而，裸芯片难以保证品质并且不便使用。因此，应用CSP(Chip Scale/SizePackage：芯片尺度/尺寸封装)的半导体器件便得到开发。

尤其是近年来，以晶片水平制造的所谓晶片水平的CSP技术引人注目。采取晶片水平CSP将涂有树脂层并进行二次布线的多个半导体元件以晶片单位形成，然后切断成各个半导体元件，形成半导体器件。

但是，此时切割成小片后的半导体器件端面造成缺损，往往树脂层从半导体元件的界面剥离掉。

[发明的公开]

本发明是解决这一问题的技术，其目的在于提供可靠性高的半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置。

(1)本发明的半导体器件的制造方法是一种半导体器件的制造方法，在具有电极的多个半导体元件的集合体上形成多个树脂层、与各半导体元件的上述电极进行电连接的布线以及与上述布线进行电连接的外部端子，并包含切断上述集合体的工序。

可避开上述集合体的切断区域以形成上述多个树脂层中的至少一个树脂层。

按照本发明，预先避开集合体的切断区域以形成至少一个树脂层并切断集合体。由此，可以抑制半导体器件端部的缺损，可以防止半导体器件的树脂层剥离。因此，可以制造可靠性高的半导体器件。

(2)在该半导体器件的制造方法中，

对于上述至少一个树脂层可通过喷墨方式或者印刷方式形成。

因此，可以更简单地避开切断区域，形成至少一个树脂层。

(3)在该半导体器件的制造方法中，

可将上述至少一个树脂层预先构制图形并形成在另一构件上，并采取使之转印到上述集合体的方法形成。

因此，可以更简单地避开切断区域，形成至少一个树脂层。

(4)在该半导体器件的制造方法中，

在上述切断区域敷设由疏离上述至少一个树脂层的成分构成的材料，通过用上述材料使之疏离的方法形成上述至少一个树脂层。

因此，可将至少一个树脂层确实从切断区域除去。

(5)在该半导体器件的制造方法中，

上述至少一个树脂层由感光性材料构成，

可通过曝光并除去上述切断区域的部分来形成上述至少一个树脂层。

因此，例如用现有的工序可以容易地形成至少一个树脂层。

(6)在这种半导体器件的制造方法中，

上述多个树脂层包括上述布线下面的第一树脂层和上述布线上面的第二树脂层，

用形成上述树脂层的工序也可以避开上述集合体的切断区域，至少形成上述第1树脂层。

因此，可避开切断区域形成在布线下面所形成的第1树脂层。例如，在较厚地形成第1树脂层的情况下是有效的。

(7)在这种半导体器件的制造方法中，

用形成上述树脂层的工序可避开上述集合体的切断区域，形成上述第2树脂层。

(8)在这种半导体器件的制造方法中，

用形成上述树脂层的工序，在以覆盖上述外部端子和上述切断区域的方式敷设上述第2树脂层的至少是最上层后，除去其一部分并使上述外部端子至少是前端部露出，同时除去上述切断区域的部分。

因此，例如用现有的工序数可以从切断区域去除第2树脂层。

(9)在这种半层体器件的制造方法中，

用形成上述树脂层的工序，可形成多层上述第2树脂层，以覆盖上述集合体的切断区域的方式形成上述多层中至少是最上层。

因此，可以抑制切断时半导体端部的缺陷的发生，也可以抑制缺陷的蔓延，可以有效地防止树脂层的剥离。

(10)在这种半导体器件的制造方法中，

上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层。

用形成上述树脂层的工序，可避开上述集合体的切断区域，至少形成上述第2树脂层。

因此，可避开切断区域，形成在布线上所形成的第2树脂层。例如，在较厚地形成第2树脂层的情况下是有效的。

(11)在这种半导体器件的制造方法中，

上述第2树脂层的热膨胀系数可比上述第1树脂层大。

因此，可以有效地缓和由热应力造成的应力。

(12)在这种半导体器件的制造方法中，

用形成上述树脂层的工序，可使上述外部端子的一部分露出，形成上述第2树脂层，使得从上述外部端子的上述第2树脂层露出的部分比上述外部端子与上述布线的结合部从平面上看要小。