[发明专利]半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中，包括在具有电极的多个半导体元件的集合体上形成多个树脂层、与各半导体元件的上述电极进行电连接的布线、以及与上述布线进行电连接的外部端子，并且切断上述集合体的工序，其特征在于：

避开上述集合体的切断区域，形成上述多个树脂层中的至少一个树脂层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过喷墨方式或者印刷方式形成上述至少一个树脂层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过预先构图并且形成在另外的构件上，使上述至少一个树脂层转印刷上述集合体上而形成。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述切断区域敷设由疏离上述至少一个树脂层的成分而构成的材料，通过用上述材料使上述至少一个树脂层受到疏离而形成。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述至少一个树脂层由感光材料构成，

通过对上述至少一个树脂层曝光并去除掉上述切断区域的部分而形成上述至少一个树脂层。

6.如权利要求1、2、3、5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层，

通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合体的切断区域形成至少是上述第1树脂层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合体的切断区域形成上述第2树脂层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过形成上述树脂层的工序，在以覆盖住上述外部端子和上述切断区域的方式敷设上述第2树脂层中的至少是最上层以后，去除掉其中一部分，使上述外部端子的至少前端部露出，同时去除掉上述切断区域的部分。

9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过形成上述树脂层的工序，上述第2树脂层由多层形成，可形成上述多层中的至少是最上层，以便覆盖住上述集合体的切断区域。

10.如权利要求1、2、3、5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层，

通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合体的切断区域以形成至少是上述第2树脂层。

11.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第2树脂层的热膨胀系数比上述第1树脂层为大。

12.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

通过形成上述树脂层的工序，为使从上述外部端子的上述第2树脂层露出的部分比与上述外部端子的上述布线的接合部从平面上看要变小，可使上述外部端子的一部分露出以形成上述第2树脂层。

13.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第2树脂层由多层形成，

通过形成上述树脂层的工序，避开形成上述布线的上述外部端子的区域，形成上述第2树脂层的最下层，

通过形成上述外部端子的工序，在从上述布线的上述第2树脂层露出的部分形成上述外部端子。

14.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在各个上述半导体元件中，形成多个上述电极，

通过形成上述树脂层的工序，在比上述半导体元件的上述电极更靠近内侧的区域，形成上述第1树脂层。

15.一种半导体器件，其特征在于：

该半导体器件用权利要求1、2、3、5中任意一项所述的半导体器件的制造方法制造而成。