[实用新型]可提高发光亮度的发光二极管无效
申请号: | 01280099.6 | 申请日: | 2001-12-30 |
公开(公告)号: | CN2520569Y | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | 许荣贵;余学志;徐嘉莨;陆宏远;朱颜虎;张垂权;王冠儒;蔡长达;林三宝;黄勇强;林明德 | 申请(专利权)人: | 光磊科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱黎光,张占榜 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 发光 亮度 发光二极管 | ||
1、一种可提高发光亮度的发光二极管,其特征是包括有:
一至少包括有一发光活性层的LED磊晶层,于其底侧凿设有多个空隔区;
至少一导电接触层,设于该LED磊晶层未被凿设为空隔区的底侧表面;
空隔区内设有一透光物质层;
一黏合层设于该透光物质层与一永久基板之间;及
一下部电极设于该永久基板的底侧,而一对向电极则设于该LED磊晶层的顶侧部分位置。
2、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:尚包括有一反射层,设于该透光物质层与黏合层之间。
3、根据权利要求2所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该反射层是与黏合层为同一材质所制成。
4、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:尚包括有一电流扩散层,设于该LED磊晶层与对向电极之间。
5、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该黏合层为一下部电极。
6、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该透光物质层可选择具有导电特性的氧化铟锡、氧化锌、氧化铟、氧化锡及其组合式的其中之一所制成。
7、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该透光物质层可选择具有不导电特性的聚合物、石英、玻璃及其组合式的其中之一所制成。
8、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该永久基板可选用具有良好导热特性的材质所制成。
9、根据权利要求8所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该永久基板可选用硅、氮化硼、氮化铝、氧化铝、氧化镁、二氧化钛及其组合式的其中之一所制成。
10、根据权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管,其特征是:其中该LED磊晶层可选择为一直立型LED元件及平面型LED元件的其中之一。
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