[发明专利]为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法有效
| 申请号： | 01137905.7 | 申请日： | 2001-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1378263A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | C·H·王 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 擦除 可编程 只读存储器 单元 形成 相对于 有源 对准 浮动 多晶 方法 | ||
1.一种用于形成半导体器件中隔离区和有源区的自对准方法，该方法包括如下步骤：
在一个半导体衬底上形成第一材料层；
形成多个间隔开的沟槽，它们穿过第一材料层延伸进入衬底中；
沿着沟槽的侧壁部分形成第一绝缘材料层；
用绝缘材料填充沟槽；
去除第一材料层来暴露衬底的部分；
在衬底的暴露部分上形成第二绝缘材料层；以及
在第二绝缘材料层上形成导电材料层。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于：沟槽的侧壁部分位于衬底内，沿着沟槽的侧壁形成第一绝缘材料层。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于：对于每个沟槽，导电材料层有一个边缘部分，它以一个预定的距离Δ与第一绝缘材料层重叠并在其上延伸。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于：对于每个沟槽，导电材料层有一个边缘部分，它以一个预定的距离Δ与第一绝缘材料层和填充沟槽的绝缘材料的一部分重叠并在其上延伸。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于：对于每个沟槽，预定的距离Δ是如此选择的：在对衬底和导电层进行后段处理之后，边缘部分对准沟槽的侧壁。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于：对于每个沟槽，第一绝缘材料层的形成包括：使侧壁部分进一步延伸进入衬底，以增加沟槽下部的宽度。
7.一种用于制造电可编程和可擦除存储器件的半导体结构，包括：
一个第一导电类型的半导体材料的衬底；
在衬底上形成的第一绝缘材料层；
在第一绝缘材料层上形成的导电材料层；
多个间隔开的沟槽，它们穿过第一绝缘材料层和导电材料层并进入到衬底中；
第二绝缘材料层，它形成在沟槽的侧壁部分上；以及
在沟槽中形成的绝缘材料块，
其中，对于每个沟槽，导电材料层的一个边缘部分以预定的距离Δ与第一绝缘材料层重叠并在其上延伸。
8.根据权利要求7的半导体结构，其特征在于：对于每个沟槽，导电材料层的边缘部分进一步在绝缘材料块的一部分上延伸并与之重叠。
9.根据权利要求7的半导体结构，其特征在于：对于每个沟槽，预定的距离Δ是如此选择的：在对衬底和导电层进行后段处理后，边缘部分大致对准沟槽的侧壁部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术公司，未经硅存储技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01137905.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
