[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法及掩模制作方法

权利要求书

1.制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：

在半导体集成电路器件生产线所用的同一洁净室内，制作由有机膜制成每个遮光图形的光掩模。

2.根据权利要求1的方法，其中用半导体集成电路器件生产线光刻区中不同曝光条件的多个曝光系统来制造预定的半导体集成电路器件。

3.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

(a)使用每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模，按照第一曝光过程，将预定图形转移至第一半导体晶片上；

(b)检查转移至第一半导体晶片上的所述预定图形，以确定每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模上的每个图形是好的还是坏的；以及

(c)使用每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模，按照第二曝光过程，将预定图形转移至第二半导体晶片上，所述光掩模已通过了所述检查工序。

4.根据权利要求3的方法，其中第一和第二曝光过程都使用半导体集成电路器件生产线所用的同一曝光系统。

5.根据权利要求3的方法，其中所述检查工序有这样一步，即检查转移至第一半导体晶片上的所述预定图形的尺寸和缺陷，以确定光掩模上的每个图形是好的还是坏的。

6.根据权利要求3的方法，其中所述检查工序包括这样一步，即测量转移至第一半导体晶片上的所述预定图形的长尺寸，以确定光掩模上每个图形是好的还是坏的。

7.根据权利要求3的方法，其中所述检查工序包括这样一步，即测量转移至第一半导体晶片上的所述预定图形的短尺寸，以确定光掩模上每个图形是好的还是坏的。

8.根据权利要求3的方法，其中所述检查工序包括这样一步，即测量转移至第一半导体晶片上的所述预定图形的长和短尺寸，以确定每个遮光图形都由有机膜制成的光掩模上的每个图形是好的还是坏的。

9.根据权利要求3的方法，其中从所述检查工序得到的信息被用作第二曝光过程的信息。

10.半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)由光掩模制造公司制作光掩模；

(b)光掩模制造公司将其制作的光掩模交付给半导体集成电路器件制造公司；

(c)促使半导体集成电路器件制造公司检查按照第一曝光过程用光掩模转移的图形，以确定光掩模上的每个图形是好的还是坏的；

(d)促使半导体集成电路器件制造公司向光掩模制造公司提供在所述检查工序中得到的信息；以及

(e)促使半导体集成电路器件制造公司用已通过所述检查工序的光掩模，按照第二曝光过程，将集成电路图形转移至半导体晶片上。

11.根据权利要求10的方法，其中半导体集成电路器件制造公司，在第二曝光过程中，依照光掩模检查工序得到的信息，调节曝光系统的曝光条件。

12.根据权利要求10的方法，其中由光掩模制造公司制作光掩模的步骤和由集成电路器件制造公司检查光掩模的步骤，都是在同一洁净室内进行的。

13.根据权利要求10的方法，其中光掩模的每个遮光图形都是由有机膜制成的。

14.根据权利要求10的方法，其中的光掩模包含两种类型：每个遮光图形都由有机膜制成的第一光掩模，以及只有每个遮光图形由金属膜制成的第二光掩模。

15.制作光掩模的方法，包括以下步骤：

(a)按照使用光掩模的曝光过程将预定图形转移至半导体晶片上；以及

(b)检查转移至半导体晶片上的预定图形，以确定光掩模上的每个图形是好的还是坏的。

16.根据权利要求15的方法，其中所述检查工序包括这样一步，即测量转移至半导体晶片上的所述预定图形的长尺寸，以确定光掩模上每个图形是好的还是坏的。

17.根据权利要求16的方法，其中长尺寸的测量，是测量相对于半导体晶片上制作的任何标记的位移量来实现的。

18.根据权利要求17的方法，其中的长尺寸是用光学对准检查设备来测量的。

19.根据权利要求15的方法，其中所述检查工序包括这样一步，即测量转移至半导体晶片上的所述预定图形的短尺寸，以确定光掩模上每个图形是好的还是坏的。