[发明专利]制造软恢复快速功率二极管的方法及其制造的功率二极管

权利要求书

1.制造具有软恢复特性(“软恢复”)的快速功率二极管(26)的方法，在此方法上通过具有轴向分布图的一个第一未掩蔽的辐射(14)和通过具有横向分布图的一个随后的第二掩蔽的辐射(15)确定所属半导体衬底(10)之内的载流子寿命，其特征在于，第一未掩蔽的辐射是通过其确定功率二极管(26)开关特性的一种离子辐射(14)，并且第二掩蔽的辐射是通过其减少功率二极管(26)激活面积的一种电子辐射(15)。

2.按权利要求1的方法，其特征在于，采用质子或He离子用于离子辐射。

3.按权利要求1和2之一的方法，其特征在于，对于第二掩蔽的辐射(15)采用尤其是由钢或钼制的孔板(16)作为掩模。

4.按权利要求1和2之一的方法，其特征在于，对于第二掩蔽的辐射(15)采用尤其是由钢丝(19，20)制的编织物(18)作为掩模。

5.按权利要求4的方法，其特征在于，编织物由钢丝(19，20)组成，并且钢丝(19，20)如此地具有一种丝径，使得在第二辐射的给定的电子加速能量的情况下，在编织物(18)的节点上导致电子辐射的完全的屏蔽，和在由钢丝(19，20)中的仅一个覆盖的范围中导致电子辐射的局部的屏蔽。

6.按权利要求5的方法，其特征在于，钢丝(19，20)具有约1mm的丝径，并且第二辐射的电子加速能量为多个MeV，尤其是约为2.5MeV。

7.按权利要求3至6之一的方法，其特征在于，通过掩模(16，18)未覆盖的面积范围在掩模(16，18)总面积的20％和80％之间，尤其是为50％。

8.具有借助按权利要求1至7之一的方法所制造的半导体衬底(10)的功率二极管(26)，其特征在于，经激活面积和由第二辐射去激活的面积如此进行从半导体衬底(10)中的散热，使得达到涉及功率二极管(26)的激活面积的热阻抗R_th的减小。