[发明专利]半导体电路装置及其制造方法

说明书

本专利申请主张2000年5月19日提交的日本专利申请2000-148044的优先权，这里参照引入其内容。

本发明涉及具有半导体电路的半导体电路装置。具体而言，本发明涉及一种半导体电路装置及制造一种半导体电路装置的方法，该半导体电路装置具有与包含在半导体电路装置中的半导体电路电连接的连接部件。

近年来，在高度集成半导体电路装置领域中活跃地进行了研究和开发。然而，半导体电路的装置和配线的尺寸减少几乎达到极限。因此，需要增加衬底面积中的电路面积。

图1表示常规半导体电路装置20的俯视图。半导体电路装置20在衬底74的一上表面上具有连接部件40、配线50和半导体电路60。半导体电路60通过配线50电连接到连接部件40上，配线50由例如铝等材料制成。

如图1所示，连接部件40和半导体电路60位于半导体电路装置20的衬底74的同一上表面上。因此，难以提高半导体电路所占据面积对半导体电路装置20的整个面积的比率。另外，使用金制配线来将连接部件40连接到半导体电路装置20外的导线上。包含于金制配线中的例如电容等寄生元件引起电力损耗，并因此使得半导体电路装置的电子设计变难。

因此，本发明的一个目的是提供一种半导体电路装置和其制造方法，可克服常规技术存在的上述缺点。通过独立权利要求中所述组合可实现上述和其它目的。从属权利要求进一步定义了本发明的有益的、典型的组合。

根据本发明的第一方面，一个半导体电路装置包括：一个衬底；一个形成于该衬底上表面上的半导体电路；和形成于该衬底侧面上的连接部件，该连接部件电连接于该半导体电路上。

该连接部件在所述衬底的所述上表面上可具有一上端部。该连接部件的上端部可电连接于该半导体电路上。该连接部件可具有一在衬底侧面内形成的凹槽上形成的下端部。该连接部件可进一步在衬底的上表面上具有一上端部；并且该连接部件的上端部可电连接于该连接部件的下端部。

可在凹槽的整个表面上形成该下端部。也可在部分凹槽表面上形成该下端部。可在面对衬底的上端部的整个底表面上形成该下端部。可穿过衬底的顶表面从一底表面开始在衬底的侧面上形成该凹槽。

连接部件的上端部可由不同于形成连接部件下端部的材料形成。该连接部件可形成于衬底的多个侧面上。可以预定间隔在衬底的侧面上形成多个连接部件。可由金来形成连接部件的下端部。

半导体电路装置的连接部件可与形成于另一半导体电路装置侧面上的另一连接部件电连接。凹槽具有一半圆柱形状。凹槽可具有一半圆锥形状。上端部的面积可大于与该上端部接触的下端部的面积。

根据本发明的第二方面，一个半导体电路装置包括一第一半导体电路装置和一第二半导体电路装置，该第一半导体电路装置包括第一衬底；一形成于该第一衬底的一个上表面上的第一半导体电路；和一形成于该第一衬底的一侧面上的第一连接部件，该第一连接部件电连接到该第一半导体电路上，该第二半导体电路装置包括一第二衬底；一形成于该第二衬底的一个上表面上的第二半导体电路；和一形成于该第二衬底的一侧面上的第二连接部件，该第二连接部件电连接到该第二半导体电路上；其中，该第一连接部件和该第二连接部件彼此电连接。

第一半导体电路装置的第一衬底的该侧面和第二半导体电路装置的第二衬底的该侧面可彼此接触，因此，第一连接部件和第二连接部件彼此电连接。

可在位于第一衬底的侧面内的一第一凹槽上形成该第一连接部件；可在位于第二衬底的侧面内的一第二凹槽上形成该第二连接部件；当第一连接部件和所述第二连接部件彼此接触时，可用导电材料来填充第一凹槽和第二凹槽。

第一衬底可具有一凹部，其中安装第二半导体电路装置，在该凹部的一侧面上形成第一连接部件；第一半导体电路装置的第一连接部件与第二半导体电路装置的第二连接部件彼此电连接。

根据本发明的第三方面，一种制造半导体电路装置的方法包括：在衬底的上表面上形成一第一连接部件的步骤；穿过该衬底的上表面从底表面形成一孔的步骤，因此面对该上表面的该孔的一端被该第一连接部件覆盖；通过在孔的表面和面对该孔的第一连接部件的底表面上形成导电材料来形成第二连接部件的步骤；和切割衬底的步骤，因此沿所述衬底的切割面暴露部分所述第一连接部件和所述第二连接部件。

形成孔的步骤可形成半圆柱形状的孔。形成孔的步骤可形成半圆锥形状的孔。形成第一连接部件的步骤可形成第一连接部件，因此，第一连接部件的面积变得比与第一连接部件接触的第二连接部件的面积大。