[发明专利]半导体电路装置及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体电路装置，包括：

一衬底；

一个形成于所述衬底上表面上的半导体电路；和

一形成于所述衬底的所述侧面上的连接部件，所述连接部件电连接于所述半导体电路上。

2．如权利要求1的半导体电路装置，其特征在于：所述连接部件在所述衬底的所述上表面上可具有一上端部。

3．如权利要求2的半导体电路装置，其特征在于：所述连接部件的所述上端部电连接于所述半导体电路上。

4．如权利要求1的半导体电路装置，其特征在于：所述连接部件具有一在所述衬底的所述侧面内形成的凹槽上形成的下端部。

5．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：

所述连接部件进一步在所述衬底的所述上表面上具有一上端部；并且

所述连接部件的所述上端部电连接于所述连接部件的所述下端部。

6．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：在所述凹槽的整个表面上形成所述下端部。

7．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：可在所述凹槽的部分表面上形成所述下端部。

8．如权利要求6的半导体电路装置，其特征在于：可在面对所述衬底的所述上端部的整个底表面上形成所述下端部。

9．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：可穿过所述衬底的顶表面从一底表面开始在所述衬底的所述侧面上形成所述凹槽。

10．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：所述连接部件的所述上端部可由不同于形成所述连接部件的所述下端部的材料形成。

11．如权利要求1的半导体电路装置，其特征在于：所述连接部件可形成于所述衬底的多个所述侧面上。

12．如权利要求1的半导体电路装置，其特征在于：可以预定间隔在所述衬底的所述侧面上形成多个所述连接部件。

13．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：可由金来形成所述连接部件的所述下端部。

14．如权利要求1的半导体电路装置，其特征在于：所述半导体电路装置的所述连接部件可与形成于另一所述半导体电路装置的所述侧面上的另一所述连接部件电连接。

15．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：所述凹槽具有一半圆柱形状。

16．如权利要求4的半导体电路装置，其特征在于：所述凹槽具有一半圆锥形状。

17．如权利要求5的半导体电路装置，其特征在于：所述上端部的面积大于与所述上端部接触的所述下端部的面积。

18．一种半导体电路装置，包括：

一第一半导体电路装置，该第一半导体电路装置包括：

一第一衬底；

一形成于所述第一衬底的一个上表面上的第一半导体电路；和

一形成于所述第一衬底的一侧面上的第一连接部件，所述第一连接部件电连接到所述第一半导体电路上；和

一第二半导体电路装置，该第二半导体电路装置包括：

一第二衬底；

一形成于所述第二衬底的一个上表面上的第二半导体电路；和

一形成于所述第二衬底的一侧面上的第二连接部件，所述第二连接部件电连接到所述第二半导体电路上；

其中，所述第一连接部件和所述第二连接部件彼此电连接。

19．如权利要求18的半导体电路装置，其特征在于：所述第一半导体电路装置的所述第一衬底的所述侧面和所述第二半导体电路装置的所述第二衬底的所述侧面可彼此接触，因此，所述第一连接部件和所述第二连接部件彼此电连接。

20．如权利要求18的半导体电路装置，其特征在于：

可在位于所述第一衬底的所述侧面内的一第一凹槽上形成所述第一连接部件；

可在位于所述第二衬底的所述侧面内的一第二凹槽上形成所述第二连接部件；和

当所述第一连接部件和所述第二连接部件彼此接触时，可用导电材料来填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。