[发明专利]制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法无效
| 申请号： | 01120724.8 | 申请日： | 2001-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1385898A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吕联沂 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 分裂 栅极 擦除 存储器 单元 方法 | ||
1.一种制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法，其特征在于，包括：
于一基板上形成一穿隧氧化层，然后沉积形成一第一复晶硅层及一第一氮化物层；
以一第一复晶硅光罩层，沿一第一方向定义数个第一复晶硅条状区域，然后进行一氮化物层/第一复晶硅层/穿隧氧化层蚀刻；
沉积形成一第二氮化物层，以一非等向性蚀刻在所述第一复晶硅条状区域周边形成一氮化物间隙；
以场氧化生长法形成一场氧化层，其上具有数个未被所述第一复晶硅条状区域覆盖的隔离区域；
以一第二复晶硅光罩层沿一第二方向定义第一复晶硅图案，接着于所述第一复晶硅图案上进行一氮化物蚀刻及一第一复晶硅氧化而在所述第一复晶硅条状区域上形成一第一复晶硅氧化物图案；
移除所述第一复晶硅氧化物图案上的剩余氮化物，接着以所述第一复晶硅氧化物图案为光罩进行第一复晶硅层蚀刻；
以一汲极光罩定义一汲极区域，再进行汲极植入；
以化学气相沉积法形成一预定厚度的CVD介电质层，再以一干蚀刻形成一无用CVD间隙；
以一源极植入光罩定义一源极区域，再进行汲极植入；
移除所述无用CVD间隙，再进行一侧壁氧化物成长，在一薄氮化物沉积之后形成一氮化物侧壁间隙；
沉积形成一第二复晶硅层；
以一第二复晶硅光罩层及一光阻定义字符线及控制栅周边，接着进行第二复晶硅蚀刻以及移除所述光阻。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场氧化层是以区域氧化法(localized oxidation of silicon，LOCOS)形成。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物蚀刻是在以所述第一复晶硅层为蚀刻阻止层的情况下进行。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极区域是先以砷或磷进行离子植入再进行回火(Anneal)步骤后形成。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CVD介电层的厚度与所述控制栅周边的预定长度相近。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述汲极区域是先以砷或磷进行离子植入再进行回火步骤后形成。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一复晶硅片状区域用以形成所述按块擦除存储器的浮动栅。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮动栅不与所述场氧化层重叠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
