[发明专利]非易失性内存及其制作工艺

权利要求书

1.一种非易失性内存，其特征在于，它包括：

一半导体基板；

一氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层，是形成于所述半导体基板上；

一浮动栅，是形成于所述氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层上；以及

一控制栅，是形成于所述浮动栅上。

2.如权利要求1所述的非易失性内存，其特征在于，所述半导体基板为一源极及汲极已成型的基板。

3.如权利要求2所述的非易失性内存，其特征在于，所述源极及汲极已成型的基板具有一通道，所述通道是位于其源极及汲极之间。

4.如权利要求3所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构是形成于所述源极及汲极已成型的基板的通道上与所述浮动栅之向。

5.如权利要求4所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构包括：

一第一氧化层，是形成于所述半导体基板上；

一氮化物层，是形成于所述第一氧化层上；以及

一第二氧化层，是形成于所述氮化物层上。

6.如权利要求1所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构通过注入若干电子于氧化层/氮化物层/氧化层存储结构以记录一数字数据。

7.如权利要求6所述的非易失性内存，其特征在于，所述ONO存储结构是包括：

一第一氧化层，是形成于所述半导体基板上；

一氮化物层，是形成于所述第一氧化层上；以及

一第二氧化层，是形成于所述氮化物层上。

8.如权利要求7所述的非易失性内存，其特征在于，所述氮化物层是用以注入所述若干电子于氧化层/氮化物层/氧化层存储结构以记录所述数字数据。

9.如权利要求6所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构更通过注入若干空穴于氧化层/氮化物层/氧化层存储结构以抹除所述数字数据。

10.如权利要求9所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构包括：

一第一氧化层，是形成于所述半导体基板上；

一氮化物层，是形成于所述第一氧化层上；以及

一第二氧化层，是形成于所述氮化物层上。

11.如权利要求10所述的非易失性内存，其特征在于，所述氮化物层用以注入所述若干空穴于氧化层/氮化物层/氧化层存储结构以抹除所述数字数据。

12.如权利要求1所述的非易失性内存，其特征在于，所述浮动栅极及所述控制栅极之间包括一介电层。

13.如权利要求1所述的非易失性内存，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构包括：

一第一氧化层，是形成于所述半导体基板上；

一氮化物层，是形成于所述第一氧化层上；以及

一第二氧化层，是形成于所述氮化物层上。

14.一种非易失性内存的制作工艺，其特征在于，它包括下列步骤：

提供一半导体基板；

形成一氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层于所述半导体基板上；

形成一浮动栅极于所述氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层上；以及

形成一控制栅极于所述浮动栅极上。

15.如权利要求14所述的非易失性内存的制作工艺，其特征在于，所述半导体基板为一源极及汲极已成型的基板。

16.如权利要求15所述的非易失性内存的制作工艺，其特征在于，所述源极及汲极已成型的基板具有一通道，所述通道是位于其源极及汲极之间。

17.如权利要求16所述的非易失性内存的制作工艺，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构是形成于所述源极及汲极已成型的基板的通道上与所述浮动栅之间。

18.如权利要求17所述的非易失性内存的制作工艺，其特征在于，所述氧化层/氮化物层/氧化层存储结构包括：

一第一氧化层，是形成于所述半导体基板上；

一氮化物层，是形成于所述第一氧化层上；以及

一第二氧化层，是形成于所述氮化物层上。