[发明专利]电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体衬底，该衬底用于制造工业和日常使用的各种半导体器件，并且涉及半导体裸芯片和其表面上形成有集成电路的半导体晶片，特别是涉及噪声抑制的电磁波吸收半导体衬底及其制造方法，以及使用这种半导体衬底制造的半导体器件。

本发明还涉及呈现突出的高频电磁噪声抑制效果的电磁噪声抑制体，特别是涉及能有效抑制电磁噪声的电磁噪声抑制体，这种电磁噪声对工作在高速或高频电子器件和电子设备的有源器件是成问题的，并且涉及使用这种抑制体的高频电磁噪声抑制方法

近年来高速工作的高度集成的半导体器件得到显著地发展。例子包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、微处理器(MPU)、中央处理器(CPU)、图像处理运算逻辑单元(IPALU)、及其他逻辑电路装置。在这些有源器件中，在计算速度和信号处理速度方面，以惊人的速率实现了更高的速度，通过高速电子电路传送的电信号变成感应和高频噪声的主要原因，这是因为与此关联的快速电压和电流变化。

同时，对于电子器件和电子设备，在更轻的重量、更薄的外形、和更小的尺寸方面的趋势快速地持续发展并且没有减弱。与这种趋势相关，在半导体器件中实现的集成度和在印制导线衬底中实现的更高电子元件安装密度也是显著的。因此，过度密集地集成或安装的电子器件和信号线变得彼此极为靠近，目前的情况是这样的，与实现的更高信号处理速度相关，正如早先说明的，容易引起高频寄生辐射噪声。

对于传统的半导体衬底，在衬底本身没有实施防噪声措施。因此，在半导体器件制造之后，从半导体器件电路图形区产生噪声时，噪声原样泄漏到外面，有时在其他的装置或设备中引起操作误差。

既然这样，在用于半导体器件的防噪声措施方面已经对每个单个半导体器件的背面施加电磁波吸收材料或类似物，形成附加的电磁波吸收层。

然而，对于这样的传统的半导体器件防噪声措施，存在如下问题，必须在后续工序中对每个单个半导体器件的背部施加噪声吸收材料、例如电磁波吸收材料，因此在实施防噪声措施中需要大量的时间。并且，因为施加到每个单个半导体器件的背部，所以噪声吸收部件、例如电磁波吸收材料的厚度容易产生变化，单个半导体器件的噪声吸收特性电发生变化，这也构成问题。

而且正如通常已知的，通过切割作为半导体衬底的半导体晶片，获得构成半导体器件的半导体裸芯片，其表面上形成集成电路。

已经指出与来自这种半导体裸芯片的电源线的寄生辐射相关的问题，对此的解决手段已经提供，即在电源线中插入去耦电容器或其它集总常数元件。还已经指出与电子集成器件和布线衬底中从电源线到有源器件的寄生辐射相关的问题，对此的解决手段同样已经提供，即在电源线中插入去耦电容器或其它集中常数元件。

然而，在半导体裸芯片、电子集成器件和布线衬底中，其表面上形成更高速度执行的集成电路，产生的噪声包含谐波分量，因此信号通路已经呈现分布常数特性。结果，已经出现的情况是意味着传统的集总常数电路的阻止噪声的手段是无效的。

因此，需要开发一种电磁噪声抑制体，对以高速工作的这种半导体器件和电子电路中的电磁噪声进行有效适度地抑制。更具体地，需要开发能够以较小体积有效地实现阻止电磁噪声的电磁噪声抑制体。

本发明的目的在于提供一种能够有效地吸收从MHz频带到GHz频带的干扰电磁波的半导体衬底，当分成单个半导体器件时能够呈现电磁波吸收效应，有助于噪声-抑制半导体器件的批量生产，及其制造方法和其中使用那些半导体衬底的半导体器件。

本发明的另一个目的在于提供一种半导体裸芯片和半导体晶片，能够有效地减少从集成电路产生的寄生辐射，在半导体裸芯片和半导体晶片表面上形成这种以高速工作的集成电路。

本发明的又一个目的在于提供一种电磁噪声抑制体，即使当还使用呈现突出的磁损耗特性的导电磁性薄膜时，也能够在例如半导体器件内部的微型电子电路中实现无反射电磁噪声抑制，以及使用这些抑制体的电磁噪声抑制方法。

根据本发明的一个方案，提供一种其表面上形成集成电路的半导体裸芯片。在本发明的该方案中，在半导体裸芯片的背侧上形成磁损耗薄膜。

根据本发明的另一个方案，提供一种其表面上形成集成电路的半导体晶片。在本发明的该方案中，在半导体晶片的背侧上形成磁损耗薄膜。

根据本发明的又一个方案，提供一种在其一部分形成磁损耗部件的半导体衬底。在本发明的该方案中，该磁损耗部件按预定图形形成在一个半导体衬底的表面附近。磁损耗部件和该表面上的半导体衬底区被绝缘薄膜均匀地覆盖。