[发明专利]电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体裸芯片，其前表面上形成有集成电路，其中，磁损耗薄膜形成在所述半导体裸芯片的背表面上。

2．根据权利要求1的半导体裸芯片，其中，所述磁损耗薄膜是粒状磁薄膜。

3．根据权利要求2的半导体裸芯片，其中，所述粒状磁薄膜是采用溅射方法形成的溅射薄膜。

4．根据权利要求2的半导体裸芯片，其中，所述粒状磁薄膜是采用汽相淀积方法形成的蒸汽淀积膜。

5．一种半导体晶片，其前表面上形成有集成电路，其中，磁损耗薄膜形成在所述半导体晶片的背表面上。

6．根据权利要求5的半导体晶片，其中，所述磁损耗薄膜是粒状磁薄膜。

7．根据权利要求6的半导体晶片，其中，所述粒状磁薄膜是采用溅射方法形成的溅射薄膜。

8．根据权利要求6的半导体晶片，其中，所述粒状磁薄膜是采用汽相淀积方法形成的蒸汽淀积膜。

9．一种半导体衬底，其一部分形成有磁损耗部件，其中，

所述磁损耗部件按预定图形形成在所述半导体衬底一侧表面的附近；

用绝缘薄膜均匀地覆盖所述表面上的所述磁损耗部件和半导体衬底区域。

10．根据权利要求9的半导体衬底，其中，所述磁损耗部件形成在所述半导体衬底的基本全部表面上。

11．根据权利要求9的半导体衬底，其中，由所述磁损耗部件形成所述预定图形并且是条纹的图形。

12．根据权利要求9的半导体衬底，其中，由所述磁损耗部件形成所述预定图形并且是点阵图形。

13．根据权利要求9的半导体衬底，其中，由所述磁损耗部件形成所述预定图形并且是岛状图形。

14．根据权利要求9的半导体衬底，其中，所述绝缘薄膜包括选自氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种材料。

15．一种半导体衬底，其一部分形成有多个磁损耗部件，其中，按预定图形形成所述磁损耗部件，每个所述磁损耗部件形成在每个半导体器件区域的内表面上，通过分割所述半导体衬底分离所述区域。

16．一种半导体衬底，通过第一半导体衬底部件和第二半导体衬底部件接合在一起而形成，和具有在其部分中形成的磁损耗部件，其中，

所述第一半导体衬底部件和所述第二半导体衬底部件中的至少一个半导体衬底部件设置有沟槽，该沟槽形成在接合在一起的其表面上；和

所述磁损耗部件嵌在所述沟槽之内。

17．根据权利要求16的半导体衬底，其中，所述沟槽包括多个按预定图形形成的沟槽部位，每个所述沟槽部位形成在每个半导体器件区域的内表面上，通过分割所述半导体衬底分离所述区域。

18．根据权利要求16的半导体衬底，其中，所述磁损耗部件由M-X-Y组成，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物。

19．根据权利要求9的半导体衬底，其中，半导体衬底、所述第一半导体衬底部件和所述第二半导体衬底部件的材料分别由硅组成。

20．根据权利要求9的半导体衬底，其中，半导体衬底、所述第一半导体衬底部件和所述第二半导体衬底部件的材料分别由镓-砷组成。

21．多个半导体器件，按预定图形重复地形成在根据权利要求9的半导体衬底上，其中：

所述多个半导体器件中的每一个，包括至少一个其中形成所述磁损耗部件的单元区域。

22．一种半导体衬底制造方法，包括在所述半导体衬底的至少一部分中形成包含磁损耗部件的层的工序。

23．根据权利要求22的半导体衬底制造方法，其中，所述磁损耗部件由M-X-Y组成，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物。

24．根据权利要求22的半导体衬底制造方法，其中，半导体衬底、所述第一半导体衬底部件和所述第二半导体衬底部件的材料分别由硅组成。