[发明专利]具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法

权利要求书

1、一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，包含内连导线形成于半导体基底表面上，其特征是：作为应力缓冲层的第一介电质间隙壁形成于该内连导线的例壁上，作为蚀刻阻挡层或内连导线的固定支撑层的第二介电质间隙壁形成于该第一介电质间隙壁的表面上；第三介电层覆盖该内连导线、基底以及第二间隙壁的曝露表面。

2、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该内连导线的顶部设置有抗反射层。

3、根据权利要求2所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该抗反射层是由钛/氮化钛或氮氧化硅所构成。

4、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该内连导线是由铝、铜或铝硅铜所构成。

5、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该第一介电层是由二氧化硅所构成。

6、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该第二介电层是由氮化硅或氮氧化硅所构成。

7、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该第三介电层是由二氧化硅所构成。

8、根据权利要求1所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，其特征是：该第二介电层与该第三介电层的蚀刻比大于10。

9、一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：它至少包含下列步骤：

(1)提供半导体基底，其表面上设置有多数个内连导线，于该内连导线及基底表面上形成第一介电层；

(2)对该第一介电层进行回蚀刻制程，以曝露该内连导线的顶部及基底的表面，而残留于该内连导线侧壁的第一介电层成为第一介电质间隙壁；

(3)于该内连导线、基底以及第一间隙壁的表面上形成第二介电层；

(4)对该第二介电层进行回蚀刻制程，以曝露该内连导线的顶部及该基底的表面，而残留于该第一介电质间隙壁的第二介电层成为第二介电质间隙壁；

(5)形成第三介电层以覆盖该内连导线、基底以及该第二间隙壁的曝露表面；

(6)对该第三介电层进行平坦化制程。

10、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该内连导线的顶部设置有抗反射层。

11、根据权利要求10所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该抗反射层是由钛/氮化钛或氮氧化硅所构成。

12、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该内连导线是由铝、铜或铝硅铜所构成。

13、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该第一介电层是由二氧化硅所构成。

14、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该第二介电层是由氮化硅或氮氧化硅所构成。

15、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该第三介电层是由二氧化硅所构成。

16、根据权利要求9所述的具有双层介电质间隙壁的内连导线结构的制作方法，其特征是：该第二介电层与该第三介电层的蚀刻比大于10。