[发明专利]硅绝缘体结构半导体器件无效
| 申请号： | 01117888.4 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1316781A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | A·O·阿丹 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 半导体器件 | ||
1、一种SOI结构的半导体器件，包括：
浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；
第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；
位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；和
通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；
其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。
2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱的杂质浓度高于沟道区。
3、根据权利要求2所述的半导体器件，其中位阱按与栅极自对准的方式形成。
4、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱形成在源/漏区端部附近和源/漏区之间。
5、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱在栅长方向具有不引起造成电位下降的短沟道效应的长度Lpn。
6、根据权利要求5所述的半导体器件，其中位阱在栅长方向长于栅极的栅长度。
7、根据权利要求6所述的半导体器件，其中位阱是栅极的栅长L的1.5倍以上。
8、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱设定为电浮置态。
9、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱还含有惰性元素和/或锗作杂质。
10、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所含惰性元素和/或锗的浓度分别为1016-1018cm-3。
11、根据权利要求1所述的半导体器件，其中源/漏区深达到掩埋氧化膜。
12、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱深达掩埋氧化膜。
13、根据权利要求1所述的半导体器件，其中位阱含浓度为3×1016-1018cm-3的第一杂质。
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