[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1．一种稳压器，用于从一P沟道MOS晶体管向负载提供电能，具有用于分出一输出电压的分压电阻，一误差放大电路，用于将所述分压电阻的输出电压和一基准电压间的电压差放大，以及一P沟道MOS晶体管，包括：

一比较电路，用于将所述分压电阻的输出电压和所述基准电压进行比较；以及

利用所述比较电路的输出来改变所述P沟道MOS晶体管的衬底电势的装置。

2．一种稳压器，用于从一P沟道MOS晶体管向负载提供电能，具有用于分出一输出电压的分压电阻，一误差放大电路，用于将所述分压电阻的输出电压和一基准电压间的电压差放大，以及一P沟道MOS晶体管，包括：

一检测电路，用于检测稳压器的输入电压与输出电压的电压差；及

利用所述电压差来改变所述P沟道MOS晶体管的衬底电势的元件。

3．一种稳压器，用于从一N沟道MOS晶体管向负载提供电能，具有用于分出一输出电压的分压电阻，一误差放大电路，用于将所述分压电阻的输出电压和一基准电压间的电压差放大，以及一N沟道MOS晶体管，包括：

一比较电路，用于将所述分压电阻的输出电压和所述基准电压进行比较；以及

利用所述比较电路的输出来改变所述N沟道MOS晶体管的衬底电势的装置。

4．一种稳压器，用于从一N沟道MOS晶体管向负载提供电能，具有用于分出一输出电压的分压电阻，一误差放大电路，用于将所述分压电阻的输出电压和一基准电压间的电压差放大，以及一N沟道MOS晶体管，包括：

一检测电路，用于检测稳压器的输入电压与输出电压的电压差；及

利用所述电压差来改变所述N沟道MOS晶体管的衬底电势的元件。

5．根据权利要求1至4任何一项的稳压器，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有一硅绝缘体结构。

6．根据权利要求1至4任何一项的稳压器，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有双极互补金属氧化物半导体结构。

7．一种开关稳压器，具有至少一个MOS结构的开关元件和一个用于接通和断开所述开关元件的驱动电路，包括：

用于改变所述开关元件的衬底电势的装置；

所述开关元件的衬底电势是以这样的方式被控制的，即，当所述开关元件接通时，所述开关元件的阈值电压降低。

8．根据权利要求7所述的开关稳压器，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有一硅绝缘体结构。

9．根据权利要求7所述的稳压器，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有双极互补金属氧化物半导体结构。

10．一种电荷泵电路，具有至少一个MOS结构的开关元件和一个用于接通和断开所述开关元件的驱动电路，包括：

用于改变所述开关元件的衬底电势的装置；

所述开关元件的衬底电势是以这样的方式被控制的，即，当所述开关元件接通时，所述开关元件的阈值电压降低。

11．根据权利要求10所述的电荷泵，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有一硅绝缘体结构。

12．根据权利要求10所述的电荷泵，其特征在于：组成所述电路的若干或者所有元件具有双极互补金属氧化物半导体结构。