[发明专利]一种混合型功率变换装置

权利要求书

1、一种交流功率变换装置，其特征是，包括相互间电气绝缘的n组、每组相数为m的交流电，其分别连接至n个整流型变换模块的输入端；相互间电气绝缘的k组直流电，其分别连接至k个逆变型变换模块的输入端；上述n+k个变换模块的输出端串联连接，从而形成一个总的输出电压；上述n个整流型变换模块是包括由功率半导体开关器件或功率半导体开关器件组连接成的、输出电压极性可变的m相双向可控整流电路，或m相半波双向可控整流电路；上述k个逆变型变换模块是包括由功率半导体开关器件或功率半导体开关器件组连接成的电压型PWM逆变桥式电路。

2、按照权力要求1所述的交流功率变换装置，其特征是，上述整流型变换模块是包括由双向可控硅连接成的m相双向可控整流电路，或者是包括将两个由可控硅连接成的m相可控整流电路正反向并联而连接成的m相双向可控整流电路。

3、按照权力要求1所述的交流功率变换装置，其特征是，上述整流型变换模块是包括由可关断半导体功率开关器件连接成的m相双向可控整流电路。

4、按照权力要求1所述的交流功率变换装置，其特征是，上述逆变型变换模块是包括由可关断半导体功率开关器件连接成的单相或多相输出的电压型PWM逆变桥式电路，其中可关断半导体功率开关器件是GTO、或SIT、或IGBT、或GTR、或MOSFET、或IGCT、或MCT。

5、按照权力要求3所述的交流功率变换装置，其特征是，上述可关断半导体功率开关器件是GTO，或SIT，或IGBT，或GTR，或MOSFET，或IGCT，或MCT，或是由上述器件联接成的可双向控制电流的双向电子开关。

6、一种交流功率变换装置，其特征是，包括相互间电气绝缘的n组、每组相数为m的交流电，其分别连接至n个整流型变换模块的输入端；一路电气绝缘的直流电，连接至l个具有j相输出的逆变型变换模块的输入端；上述n个整流型变换模块分为j组，每组的整流型变换模块的输出端分别串联连接；上述j个串联连接后的整流型变换模块列，进一步与上述j相输出的逆变型变换模块的j个输出端连接，从而得到j路叠加后的输出电压。上述n个整流型变换模块是包括由功率半导体开关器件或功率半导体开关器件组连接成的、输出电压极性可变的m相双向可控整流电路，或m相半波双向可控整流电路；上述j相输出逆变型变换模块是包括由功率半导体开关器件或功率半导体开关器件组连接成的j相输出电压型PWM逆变桥式电路。

7、按照权力要求6所述的交流功率变换装置，其特征是，上述整流型变换模块是包括由双向可控硅连接成的m相双向可控整流电路，或者是包括将两个由可控硅连接成的m相可控整流电路正反向并联而连接成的m相双向可控整流电路。

8、按照权力要求6所述的交流功率变换装置，其特征是，上述整流型变换模块是包括由可关断半导体功率开关器件连接成的m相双向可控整流电路。

9、按照权力要求6所述的交流功率变换装置，其特征是，上述逆变型变换模块是包括由可关断半导体功率开关器件连接成的单相或多相输出的电压型PWM逆变桥式电路，其中可关断半导体功率开关器件是GTO、或SIT、或IGBT、或GTR、或MOSFET、或IGCT、或MCT。

10、按照权力要求8所述的交流功率变换装置，其特征是，上述可关断半导体功率开关器件是GTO，或SIT，或IGBT，或GTR，或MOSFET，或IGCT，或MCT，或是由上述器件联接成的可双向控制电流的双向电子开关。