[发明专利]半导体显示器件及其制作方法

权利要求书

1．一种液晶显示器件，包括：

制作在绝缘表面上的半导体层，所述半导体层具有沟道形成区、LDD区以及源区和漏区；

制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；

制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极；

制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；

其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度；

其中所述LDD区与所述第一栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间。

2．一种液晶显示器件，包括：

制作在绝缘表面上的半导体层，所述半导体层具有沟道形成区、LDD区以及源区和漏区；

制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；

制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极；

制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；

其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度；

其中所述LDD区与所述第一栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间，以及

其中所述沟道形成区与所述第二栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间。

3．一种液晶显示器件，包括：

制作在绝缘表面上的半导体层，所述半导体层具有沟道形成区、LDD区以及源区和漏区；

制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；

制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极，所述第一栅电极在边缘部分具有锥形剖面；

制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；

其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度；

其中所述LDD区与所述第一栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间，

其中所述沟道形成区与所述第二栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间。

4．按照权利要求1的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区是以所述第二栅电极作掩模向所述半导体层自对准掺入杂质元素而成的。

5．按照权利要求2的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区是以所述第二栅电极作掩模向所述半导体层自对准掺入杂质元素而成的。

6．按照权利要求3的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区是以所述第二栅电极作掩模向所述半导体层自对准掺入杂质元素而成的。

7．按照权利要求4的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区含有一个区域，其所述杂质浓度梯度至少为1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范围，而且随距所述沟道形成区距离的增加而增大。

8．按照权利要求5的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区含有一个区域，其所述杂质浓度梯度至少为1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范围，而且随距所述沟道形成区距离的增加而增大。

9．按照权利要求6的液晶显示器件，其特征是其中所述LDD区含有一个区域，其所述杂质浓度梯度至少为1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范围，而且随距所述沟道形成区距离的增加而增大。

10．一种液晶显示器件，包括：

像素TFT和驱动电路TFT，各具有：制作在绝缘表面上的半导体层；制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极；以及制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；

其中所述像素TFT的所述半导体层包含：

与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第一LDD区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述第一LDD区接触的第二LDD区；

与所述第二LDD区接触的源区和漏区，

其中所述驱动电路TFT的半导体层包含：

与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第三LDD区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述第三LDD区接触的源区和漏区，且

其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度。