[发明专利]金属离子含量低的4,4′－[1－[4－[1－(4－羟基苯基)－1－甲基乙基]苯基]－1,1－亚乙基]双酚及其光敏抗蚀剂组合物

权利要求书

1．一种通过在合适的基片上产生光图象来生产半导体器件的方法，包括：

a)用去离子(DI)水清洗酸性离子交换树脂，随后用无机酸溶液清洗，再用DI水清洗，从而降低离子交换树脂中钠和铁离子含量至各低于200ppb；

b)用DI水清洗阴离子交换树脂，随后用无机酸溶液清洗，再用DI水清洗，然后用氢氧化铵溶液清洗，再用DI水清洗，从而降低阴离子交换树脂中钠和铁离子含量至各低于200ppb；

c)制备在DI水中的TPPA浆，固含量约1-20％，并过滤得到滤饼；

d)将滤饼倒入DI水中，再制备浆液，固含量约1-20％，并过滤；

e)制备TPPA的滤饼在极性溶剂或极性溶剂混合物中的溶液；

f)将TPPA溶液通过所述阳离子交换树脂，随后通过所述阴离子交换树脂，从而降低所述TPPA溶液中的金属离子含量至各低于100ppb；

g)将TPPA溶液加入DI水中，从而沉淀出TPPA；

h)通过过滤器过滤TPPA，并且干燥TPPA；

i)通过提供以下组分的混合物制备光敏抗蚀剂组合物：

1)足以光敏化光敏抗蚀剂组合物的光敏组分；

2)金属离子含量十分低的不溶于水而溶于碱水的成膜性酚醛清

漆树脂；

3)纯化的TPPA；

4)合适的光敏抗蚀剂溶剂；

j)用光敏抗蚀剂组合物涂覆合适的基片；

k)对所述涂覆后的基片进行热处理直至除去基本上所有溶剂；以成像方式使所述光敏抗蚀剂组合物曝光；和用合适的碱性含水显影液如碱水显影液除去该组合物的成像曝光区域。可选地，在除去步骤前或后马上进行基片烘烤。

2．权利要求1的方法，其中清洗所述离子交换树脂以将钠和铁离子总量降至低于100ppb 。

3．权利要求1的方法，其中所述溶液的极性溶剂为甲醇、乙醇、丙酮或异丙醇中的一种或多种。

4．权利要求1的方法，其中所得TPPA溶液的钠和铁离子含量各低于100ppb。

5．权利要求1的方法，其中极性溶剂中的TPPA溶液的钠和铁离子含量各低于20ppb。

6．权利要求1的方法，真空干燥后TPPA固体中的钠和铁离子含量各低于60ppb。

7．权利要求1的方法，其中所述溶剂选自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯和乙基-3-乙氧基丙酸酯。