[发明专利]非挥发性记忆装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆装置的制造方法，它适用于一硅基板上，包括下列步骤：

(A)于该基板上沿着一列形成多对叠层，各叠层具有第一与第二层多晶硅，而该第一层多晶硅与该基板绝缘，且该第二层多晶硅与该第一层多晶硅绝缘；

(B)于位于该多晶硅叠层的各对叠层间的该基板中形成一漏极区，且各漏极区以自我对准的方式形成于两叠层的边缘；

(C)于邻近每一多晶硅叠层的边缘形成侧壁上的间隔物；以及

(D)在相邻两对多晶硅叠层间的该基板中形成一源极区，且每一源极区以自我对准的方式形成于该氧化物间隔物的边缘。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中，该数组为一接触较少的数组。

3.权利要求2所述的方法，其特征在于其中，在步骤(B)之后紧接着更包括(E)形成一组合层，由底部至顶部依序为高温氧化层/氮化层/多晶硅层于该内存单元的数组上。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于其中，还包括：(F)在步骤(D)之后利用一绝缘物质平坦化该数组的表面区域。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于其中，还包括：(G)在步骤(F)之后选择性地自该单元列中移除该绝缘物质以直接于该单元的列上形成一沟槽。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于其中，还包括：(H)在步骤(G)之后将ONP组合层转化成ONO组合层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于其中，还包括：(I)在步骤(H)之后在相邻该多晶硅叠层的边缘非等向性地蚀刻该ONO组合层以形成ONO侧壁间隔物。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于其中，还包括：(J)在步骤(H)之后在多晶硅叠层的列上成长一选择栅氧化层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中，还包括：(K)在步骤(J)之后于多晶硅叠层的列上形成一第三多晶硅层，且此第三多晶硅层用以形成该数组的字符线。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于其中，还包括：(L)利用一层金属层覆盖该第三多晶硅层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，该第一多晶硅层形成该浮置栅极，该第二多晶硅层形成该控制栅极，以及该第三多晶硅层形成一控制栅极。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，步骤(A)还包括利用一硅化钨曾覆盖该第二金属层。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，于步骤(C)中的侧壁间隔物由二氧化硅所形成。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于其中，于步骤(C)中的侧壁间隔物是利用非等向性蚀刻一氧化物层所形成。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于其中，步骤(C)是利用氧化物填满每对多晶硅叠层中的两叠层间的空隙。

16.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，两相邻的该多晶硅叠层对间的距离大于两相邻的该多晶硅叠层间的距离。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于其中，两相邻的该多晶硅叠层对间的距离为两相邻的该多晶硅叠层间的距离的三倍。

18.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，该源极区在侧向上与二边多晶硅叠层边缘间的距离相等。

19.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，步骤(B)包括：

(M)覆盖一光阻层于该相邻的多晶硅叠层对间的硅基板区域；以及

(N)植入砷离子于该暴露的硅基板区域中。

20.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，步骤(J)是利用一热氧化工艺而进行。

21.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，该选择栅氧化层包括一ONO组合薄层。

22.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中，步骤(H)是利用氧化该ONP组合层的传导多晶硅层以进行。