[发明专利]闪存中浮置栅极的制造方法

权利要求书

1、一种闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其至少包括：

提供一基底，基底上具有一主动区域与一隔离区域；

形成一穿隧氧化层、一多晶硅层及一氮化硅层于基底上；

定义一开口位置，将开口位置上的氮化硅层移除，并将暴露的多晶硅层氧化，以形成一浮置闸氧化层；

于基底上形成一缓冲层；

于缓冲层的侧壁形成第一间隙壁，并将未受第一间隙壁的缓冲层移除；

将主动区域上方以外的第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层移除；

形成第二间隙壁于第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层的侧壁；

将未受第二间隙壁覆盖的浮置栅极氧化层移除；

将第二间隙壁与缓冲层移除；以及

将未受浮置栅极氧化层覆盖的多晶硅层移除，以形成一浮置栅极。

2、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中缓冲层的材质包括多晶硅。

3、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中缓冲层的材质包括氮化硅。

4、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中第一间隙壁的材质包括氮化硅。

5、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中第二间隙壁的材质包括氮化硅。

6、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其中缓冲层的厚度低于3000。

7、根据权利要求1所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其中第一间隙壁的厚度低于3000。

8、一种闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其至少包括：

提供一基底；

形成一穿隧氧化层、一多晶硅层及一氮化硅层于基底上；

定义一浮置栅极的位置；

将浮置栅极位置上的氮化硅层移除至暴露出多晶硅层，并将暴露的多晶硅层氧化，以形成一浮置闸氧化层；

于基底上形成一缓冲层；

于缓冲层的侧壁形成第一间隙壁，并将未受第一间隙壁的缓冲层移除；

将基底上的主动区域上方以外的第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层移除；

形成第二间隙壁于第一间隙壁、缓冲层与氮化硅层的侧壁，以定义出浮置栅极所涵盖的范围；

将未受第二间隙壁覆盖的浮置栅极氧化层移除；以及

将第二间隙壁、缓冲层移除与未受浮置栅极氧化层覆盖的多晶硅层移除，以形成一浮置栅极。

9、根据权利要求8所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中缓冲层的材质包括多晶硅。

10、根据权利要求8所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中缓冲层的材质包括氮化硅。

11、根据权利要求8所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中第一间隙壁的材质包括氮化硅。

12、根据权利要求8所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中第二间隙壁的材质包括氮化硅。

13、根据权利要求8所述的闪存栅极的制作方法，其特征在于：其中缓冲层的厚度低于3000。

14、根据权利要求8所述的闪存中浮置栅极的制作方法，其特征在于：其中第一间隙壁的厚度低于3000。