[发明专利]适用于静电放电防护的电压控制元件及其保护电路

权利要求书

1.一种适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：适用于一集成电路，耦合于一第一接合垫与一第二接合垫之间，当一工作电源供给该集成电路电源时，该防护元件呈现关闭状态，当该工作电源不供给该集成电路电源时，该防护元件呈现保持导通状态，可以释放发生于该第一接合垫与该第二接合垫之间的一静电放电事件所产生的电流。

2.如权利要求1所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该防护元件是受控于一偏压产生器，于该工作电源供给该集成电路电源时，该偏压产生器提供一预设电压，以关闭该防护元件。

3.如权利要求1所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该防护元件是为一空乏式金氧半晶体管。

4.如权利要求3所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为—潜藏式通道元件。

5.如权利要求3所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一表面式通道元件。

6.如权利要求3所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一N型空乏式金氧半晶体管。

7.如权利要求3所述的适用于静电放电防护的电压控制元件，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一P型空乏式金氧半晶体管。

8.一种适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：连接于一第一接合垫以及一第二接合垫之间，包含有：

一静电放电防护元件，连接于该第一接合垫以及该第二接合垫之间；以及

一偏压产生器，当一工作电源提供该集成电路电源时，用以控制该静电防护元件呈现关闭状态；

其中，当该工作电源没提供该集成电路时，该静电防护元件为开启状态，可以释放发生于该第一接合垫与该第二接合垫之间的—静电放电事件所产生的电流。

9.如权利要求8项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该静电放电防护电路是为一初级静电放电防护电路，直接连接于该第一接合垫与该第二接合垫之间。

10.如权利要求8项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该静电放电防护电路是为一次级DSD防护电路：通过一电阻，连接至该第一接合垫。

11.如权利要求8项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该静电放电防护元件是为一空乏式金氧半晶体管。

12.如权利要求11项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一潜藏式通道元件。

13.如权利要求项11所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一表面式通道元件。

14.如权利要求11项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一N型空乏式金氧半晶体管。

15.如权利要求14项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，于该工作电源供给该集成电路电源时，该偏压产生器提供一预设负电压予该N型空乏式金氧半晶体管的一栅极，以关闭该N型空乏式金氧半晶体管。

16.如权利要求11项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，该空乏型金氧半晶体管是为一P型空乏式MOS。

17.如权利要求16项所述的适用于静电放电防护的电压控制元件的保护电路，其特征是：其中，于该工作电源供给该集成电路电源时，该偏压产生器提供一预设正电压予该P型空乏式金氧半晶体管的一栅极，以关闭该P型空乏式金氧半晶体管。