[发明专利]利用二极管触发的静电放电保护电路无效
| 申请号： | 01109198.3 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1377084A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 俞大立 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 二极管 触发 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：包括：
一半导体控制整流器，连接于一第一接点和一第二接点间，其中，该半导体控制整流器具有浮接的一阳极闸；以及
一二极管，当于一静电放电事件下，用以触发该半导体控制整流器导通，以钳位该第一接点和第二接点间电位至该半导体控制整流器的吸持电压。
2.如权利要求1所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管是以并联方式与该半导体控整流器耦接。
3.如权利要求2所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管以阴极和阳极分别连接该半导体控制整流器的阳极与阴极闸。
4.如权利要求1所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该半导体控制整流器的该浮接阳极闸是一浮接N型半导体层。
5.如权利要求4所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该半导体控制整流器的阳极是形成于该浮接N型半导体层内的一第一P型掺杂区。
6.如权利要求4所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该半导体控制整流器的阴极闸是一P型半导体层，该P型半导体层与该N型半导体层间具有一接面。
7.如权利要求6所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：尚包括一欧姆接触区，该欧姆接触区形成于该P型半导体层内。
8.如权利要求6所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该半导体控制整流器的阴极是形成于该P型半导体层内的一第一N型掺杂区。
9.如权利要求6所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管的阴极是形成于该P型半导体层内的一第二N型掺杂区。
10.一种利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：包括：
多个半导体控制整流器，并联于一第一接点和一第二接点间，其中，该半导体控制整流器具有浮接的阳极闸；以及
一二极管，当于一静电放电事件下，用以触发该半导体控制整流器均匀地导通一放电电流，以钳位该第一接点和第二接点间电位至该半导体控制整流器的吸持电压。
11.如权利要求10所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管是以并联方式与该半导体控制整流器耦接。
12.如权利要求11所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管以阴极和阳极分别连接该半导体控制整流器的阳极与阴极闸。
13.如权利要求10所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该半导体控制整流器是以对称于该二极管的连接方式并联。
14.如权利要求10所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，每一该半导体控制整流器的该浮接阳极闸是一浮接N型半导体层。
15.如权利要求14所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，每一该半导体控制整流器的阳极是形成于该浮接N型半导体层内的一第一P型掺杂区。
16.如权利要求14所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，每一该半导体控制整流器的阴极闸是一P型半导体层，该P型半导体层与该N型半导体层间具有一接面。
17.如权利要求16所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：尚包括一欧姆接触区，该欧姆接触区形成于该P型半导体层内。
18.如权利要求16所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，每一该半导体控制整流器的阴极是形成于该P型半导体层内的一第一N型掺杂区。
19.如权利要求16所述的利用二极管触发的静电放电保护电路，其特征是：其中，该二极管的阴极是形成于该P型半导体层内的一第二N型掺杂区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01109198.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
