[发明专利]抛光组合物有效
申请号: | 01103203.0 | 申请日: | 2001-02-02 |
公开(公告)号: | CN1307079A | 公开(公告)日: | 2001-08-08 |
发明(设计)人: | 萩原敏也;内藤宏一;藤井滋夫 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 白益华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 组合 | ||
1.一种抛光组合物,它含有氧化硅颗粒、水和聚氨基羧酸的铁盐和/或铝盐。
2.如权利要求1所述的抛光组合物,它还含有无机酸和/或有机酸。
3.如权利要求1所述的抛光组合物,其中所述的氧化硅颗粒具有这样的粒径分布:D90与D50的比率(D90/D50)为1.3-3.0,而且D50为10-600纳米,其中D90定义为累积粒径分布中在数目基础上从小粒径-侧计数至90%的粒径,D50定义为累积粒径分布中在数目基础上从小粒径一侧计数至50%的粒径。
4.如权利要求3所述的抛光组合物,其中所述的氧化硅颗粒具有这样的粒径分布,D10是5-100纳米,其中D10定义为累积粒径分布中在数目基础上从小粒径一侧计数至10%的粒径。
5.如权利要求1所述的抛光组合物,其中所述的氧化硅颗粒含有两种或更多种D50彼此不同的氧化硅颗粒,其中D50L与D50S的比率(D50L/D50S)为1.1-4.0,A与B的重量比(A/B)为90/10-10/90,其中D50定义为累积粒径分布中在数目基础上从小粒径一侧计数至50%的粒径,D50L是指具有最大D50的那种氧化硅颗粒(B)的D50,D50S是指具有最小D50的那种氧化硅颗粒(A)的D50。
6.如权利要求1所述的抛光组合物,其中所述的氧化硅颗粒具有这样的粒径分布:累积粒径分布中在数目基础上从小粒径一侧计数至40纳米粒径的百分率为25%或更小,其中D50为50-600纳米,其中所述的D50定义为累积粒径分布中在数目基础上从小粒径一侧计数至50%的粒径。
7.如权利要求1所述的抛光组合物适合用来抛光磁盘基片。
8.一种抛光方法,它包括使用权利要求1所述的抛光组合物。
9.一种制造磁盘基片的方法,它包括用权利要求1所述的抛光组合物抛光基片的步骤。
10.一种使用权利要求1所述的抛光组合物制得的磁盘基片。
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