[发明专利]半导体芯片装置及其封装方法无效
申请号: | 01102606.5 | 申请日: | 2001-02-02 |
公开(公告)号: | CN1368758A | 公开(公告)日: | 2002-09-11 |
发明(设计)人: | 陈怡铭 | 申请(专利权)人: | 陈怡铭 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐娴 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 装置 及其 封装 方法 | ||
本发明是有关于一种半导体芯片,特别是一种半导体芯片装置及其封装方法。
随着半导体制造技术的发展,现有的半导体芯片装置中,其芯片表面上的焊垫变得越来越小,且焊垫间的距离亦会更加缩小,以致于使其与外部电路的电连接,变得非常不易,进而影响生产效率,甚至影响半导体制造工艺的继续发展。
本发明的目的在于提供一种便于与外部电路连接的半导体芯片装置。
本发明的另一目的在于提供一种半导体芯片装置的封装方法。
为达到上述目的,本发明采取如下技术措施:
本发明的一种半导体芯片装置的封装方法,该半导体芯片装置适于安装至一个基板或另一个半导体芯片装置上,该基板或半导体芯片装置具有一个芯片安装区域,该芯片安装区域内设有数个焊点;其包括如下步骤:
提供一个半导体芯片,该半导体芯片具有一个设有数个焊垫的焊垫安装表面,每一焊垫上形成有一个导电触点;
在芯片的焊垫安装表面上形成一个感光薄膜层;
在感光薄膜层上置放一个覆盖该感光薄膜层的对应于该等导电触点部分的光掩模,并且对该感光薄膜层进行曝光处理;
在移去光掩模之后,以化学冲洗手段把感光薄膜层被光掩模覆盖部分冲洗去除至少一部分,以形成至少把对应的导电触点顶端部分暴露的暴露孔;
以锡膏充填每一暴露孔;
以红外线加热方式使每一暴露孔的锡膏形成一适于与基板或另一半导体芯片装置的对应焊点电连接的导电焊点。
其中,所述半导体芯片的焊垫的位置不对应于所述基板或另一个半导体芯片装置的焊点的位置,且在以红外线加热的步骤之后,还包括如下步骤:
以导电金属胶材料,在所述感光薄膜层上形成有导电体,各导电体具有一个与所述芯片的对应的导电焊点电连接的焊点连接部、一个与焊点连接部电连接且作为电路轨迹的延伸部和一个位于延伸部的自由端且其位置与所述基板或另一半导体芯片装置的对应的焊点的位置对应的电连接部。
其中,在形成导电体步骤之后,还包括如下步骤:
在各导电体的电连接部上,形成一个连接触点。
本发明的另一种半导体芯片装置的封装方法,该半导体芯片装置适于安装至一个基板或另一个半导体芯片装置上,该基板或半导体芯片装置具有一个芯片安装区域,在芯片安装区域内设有数个焊点;包括如下步骤:
提供一个半导体芯片,该半导体芯片具有一个设有数个焊垫的焊垫安装表面;
在芯片的焊垫安装表面上形成一个感光薄膜层;
在感光薄膜层上置放一个覆盖感光薄膜层的对应于该芯片的焊垫部分的光掩模,并且对该感光薄膜层进行曝光处理;
在移去光掩模之后,以化学冲洗手段把感光薄膜层被光掩模覆盖的部分冲洗去除,以形成将该芯片的对应的焊垫暴露的暴露孔;
以电镀手段,在每一暴露孔的周壁上形成与对应的焊垫电连接且延伸至感光薄膜层表面的导电连接体,该等导电连接体适于与所述基板或另一半导体芯片装置的对应的焊点电连接。
其中,所提供的半导体芯片的焊垫的位置不对应于所述基板或另一半导体芯片装置的焊点的位置,且在所述电镀步骤之后,还包括如下步骤:
以导电金属胶材料,在所述感光薄膜层上形成导电体,各导电体具有一个与该芯片的对应导电连接体电连接的连接体连接部、一个与连接体连接部电连接且作为电路轨迹的延伸部和一个位于该延伸部的自由端且其位置与所述基板或另一半导体芯片装置的对应焊点的位置对应的电连接部。
其中,在所述形成导电体的步骤之后,还包括如下步骤:
在各导电体的电连接部上,形成一个连接触点。
本发明的一种半导体芯片装置,其适于安装至一个基板或另一个半导体芯片装置上,该基板或半导体芯片装置具有一个芯片安装区域,在芯片安装区域内设有数个焊点;包括:
一个半导体芯片,其具有一个设有数个焊垫的焊垫安装表面,每一个焊垫上形成有一个导电触点;
一个形成在芯片的焊垫安装表面上的感光薄膜层,该感光薄膜层对应于导电触点处形成有数个用以至少暴露对应的导电触点的顶端部分的暴露孔;
每一暴露孔填充有作为适于与对应的焊点电连接的导电焊点的锡膏。
其中,所述半导体芯片的焊垫位置不对应于所述基板或另一半导体芯片装置的焊点的位置;还包括:
数个形成在所述感光薄膜层上的导电体,各导电体具有一个与对应的导电焊点电连接的焊点连接部、一个与焊点连接部电连接且作为电路轨迹的延伸部和一个位于该延伸部的自由端且其位置与所述基板或另一半导体芯片装置的焊点的位置对应的电连接部。
本发明的另一种半导体芯片装置,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造