[发明专利]光电子装置及其制造方法无效
| 申请号: | 01102322.8 | 申请日: | 2001-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN1316780A | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
| 发明(设计)人: | 中西秀行;鹤田彻;平野龙马 | 申请(专利权)人: | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L23/02;H01L23/50;H01S5/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 黄永奎 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电子 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电子装置,其特征在于,具有光电子元件、装载所述光电子元件的装载部、围绕在所述装载部周围的框架和光学部件;所述光学部件,装载在靠近所述框架上面中的所述装载部并位于框架内周的光学部件放置部上;所述框架具有一对第1侧壁和第2侧壁,所述第1侧壁在与所述框架上面中的所述内周部相比处于外周一侧的外周部的一部分中对面设置,而所述第2侧壁则在所述外周部中设置的与所述一对第1侧壁部分以外部分对面设置;所述一对第2侧壁,具有分别在第2侧壁内壁一侧形成的切口部,和在形成所述切口部部分以外的所述内壁一侧形成的凸部;所述光学部件设置在所述一对第2侧壁的分别的所述凸部之间,并且,由填充在所述第2侧壁的所述切口部的胶粘剂固定。
2.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述装载部,为引线框架的芯片衬垫,所述第1侧壁、所述第2侧壁、所述光学部件放置部以及所述框架,由树脂一体成形。
3.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述第2侧壁的所述凸部,向外壁一侧倾斜,并且,所述光学部件侧面的外壁向内侧倾斜。
4.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述第2侧壁的高度,比所述第1侧壁的高度高,所述第2侧壁的外壁为圆弧状,并且向内壁一侧倾斜。
5.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,在所述第2侧壁与所述第1侧壁合流的合流部附近的所述第1侧壁上,设置有侧壁切口部。
6.按照权利要求5所述的光电子装置,其特征在于,所述第2侧壁的所述切口部与所述第1侧壁的所述侧壁切口部设置为大致沿一个方向。
7.按照权利要求5所述的光电子装置,其特征在于,所述第1侧壁,比所述光学部件长边一侧的长度长,并延长到所述第2侧壁的所述切口部。
8.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述光学部件,比所述第2侧壁高,并且,所述光学部件的宽度,比所述第2侧壁的宽度窄。
9.按照权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述胶粘剂是紫外线固化胶粘剂。
10.一种光电子装置的制造方法,其特征在于,包括:(a)对具有装载光电子元件的装载部的部件进行准备工序;(b)对于围绕在所述装载部的周围的框架形成具有在与所述框架上面中的所述内周部相比处于外周一侧的外周部的一部分中,对面设置的一对第1侧壁,和在所述外周部之中设置的所述一对第1侧壁部分以外的部分上对面设置的一对第2侧壁,和在所述第2侧壁的内侧壁上形成的切口部,和在形成所述切口部分以外的所述内壁一侧形成的凸部的框架的工序;(c)在所述装载部装载光电子元件工序;(d)在所述框架的所述光学部件放置部上放置所述光学部件工序;(e)使用为供给胶粘剂的喷嘴,向所述切口供给所述胶粘剂,使所述光学部件固定在所述光学部件放置部上的工序。
11.按照权利要求10所述的光电子装置的制造方法,其特征在于,在所述工序(a)中,对作为包括装载所述光电子元件的装载部的部件,即包括多数芯片衬垫的引线框架的准备,所述工序(b)包括:把所述引线框架放入带有顶出杆的模具内的工序;在所述模具中用树脂成形所述框架的工序;用所述顶出杆把所述框架的所述凸部顶出,从所述模具中取出所述框架的工序。
12.按照权利要求10所述的光电子装置的制造方法,其特征在于,在所述工序(e)中,所述喷嘴沿所述切口部对所述切口部的上方进行扫描。
13.按照权利要求10所述的光电子装置的制造方法,其特征在于,所述工序(d),包括由紫外线固化胶粘剂将所述光学部件半固定后,对所述光学部件与所述光电子元件的光学位置进行对合的工序。
14.按照权利要求13所述的光电子装置的制造方法,其特征在于,所述工序(e)包括在把作为所述胶粘剂的紫外线固化胶粘剂供给所述切口之后,使所述紫外线固化胶粘剂固化进行固定的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





