[发明专利]体外基因扩增芯片及其制作方法

说明书

本发明涉及一种体外基因扩增芯片及其制作方法，属医疗用品。

目前，体外基因扩增一般先使用PCR仪(体外基因扩增仪)扩增产物，再标记、电泳，然后观察结果。整个过程复杂，使用仪器多，且容易使扩增产物污染而出现假性结果。

本发明的目的就是为了解决以上技术的不足，提供一种安全快速的体外基因扩增系统。

本发明所述的体外基因扩增芯片，是在硅、玻璃、金属、塑料等基材上蚀刻出深度为10um～2000um，比表面积为0.1mm²/ul～10000mm²/ul的反应室，反应室区有硅材料，加热得二氧化硅层，避免了天然硅对基因扩增的抑制。反应室底部背后有三块金属丝作为热源，用微量注射泵使基因扩增反应混合物注入反应室，当扩增产物流经不同温度区时，扩增产物自动变温，产生解链，退火和链延伸，可在反应室里对扩增产物进行标记，扩增后，可无需电泳即可进行观察，减低了被污梁的可能。

本体外基因扩增芯片具有高的比表面积，无需电泳扩增过程，使用简单、快捷、安全。

本体外基因扩增芯片是经以下步骤制作而成：

①在芯片基材上用光刻方法蚀刻出深度为10um～2000um，比表面积为0.1mm²/ul～10000mm²/ul的反应室；

②反应室区有硅材料，加热，得二氧化硅层；

③盖上盖玻片。

实施例：

取15mm×20mm的硅，反应室刻蚀深度为120mm，加热，得二氧化硅层，反应室底部背后为三根铜丝作为热源，在反应室内加入扩增反应化合物25ul，TaqDNA聚合酶1ul，白色念珠菌模板DNA5ul，石腊30ul，按94℃×180″，55℃×60″，72℃×60″，循环35次，加荧光素标记，在荧光显微镜观察即可。