[发明专利]体外基因扩增芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 01101939.5 | 申请日： | 2001-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1364913A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 郑东 | 申请（专利权）人： | 郑东 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 57240*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体外 基因 扩增 芯片 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种体外基因扩增芯片，其特征在于在芯片基材上蚀刻出反应室，反应室顶部有盖玻片，反应室底部背后有三块金属丝作为热源。
2、根据权利要求1所述的体外基因扩增芯片，其特征在于所述的芯片基材可以是硅、玻璃、金属、塑料等，反应室区有硅材料。
3、根据权利要求1所述的体外基因扩增芯片，其特征在于反应室区经二氧化硅修饰。
4、根据权利要求1所述的体外基因扩增芯片，其特征在于所述的反应室比表面积为0.1mm2/ul～10000mm2/ul。
5、根据权利要求1所述的体外基因扩增芯片，其特征在于所述的刻蚀出的反应室深度为10um～2000um。
6、根据权利要求1所述的体外基因扩增芯片，其特征在于是通过以下步骤制作而成：
①在芯片基材上用光刻方法蚀刻出深度为10um～2000um，比表面积为0.1mm2/ul～10000mm2/ul的反应室；
②反应室区有硅材料，加热，得二氧化硅层；
③盖上盖玻片。
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