[发明专利]具有存储单元、逻辑区域和填充结构的半导体存储元件

权利要求书

1.半导体存储元件，具有存储单元、逻辑区域和随机访问的填充结构，它还具有这样的结构，该结构分成存储单元(1)和逻辑区域(2)，并且具有安排在硅基底(3)上的下氧化层(4)，和安排在下氧化层上的上氧化层(5)，每个存储单元(1)在硅基底(3)与下氧化层(4)之间的结区域包括至少一个晶体管(6)，并且在下氧化层(4)与上氧化层(5)之间的结区域至少包括电容器(10)，电容器通过下氧化层(4)中的接触孔(12)连接到晶体管(6)上，接触孔(12)内填充有导电材料，并且包括安排在两个电极(11、13)之间的铁电材料(12)，连接到晶体管(6)上并且临近下氧化层(4)的电极(11)具有相对大的厚度，并且每个逻辑区域(2)在硅基底(3)与下氧化层(4)之间的结区域包括至少一个晶体管(15)，其中晶体管通过下氧化层(4)和上氧化层(5)中的接触孔(19)，连接到上氧化层(5)顶部的电极上，接触孔(19)内填充有导电材料，其特征在于，在存储单元(1)的电容器(10)与逻辑区域(2)的接触孔(19)之间的元件中，存储单元(1)的拓扑学布局与逻辑区域(2)的拓扑学布局之间的水平度补偿由填充结构(22、23)建立。

2.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其特征在于，作为胶印结构，电容器(10)和晶体管(6)通过上电极上的金属化从上面连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储元件，其特征在于，填充结构(22，23)包括材料的岛，它具有的厚度实际上符合厚的电容器电极(11)的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体存储元件，其特征在于，填充结构的岛(22，23)由厚的电容器电极(11)相同的材料构成。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体存储元件，其特征在于，为了将逻辑区域(2)的晶体管(15)连接到上氧化层(5)顶部相关的电极上，至少在上氧化层(5)的区域中，逻辑区域(2)中的接触孔(19)包括厚的电容器电极(11)相同的材料，具有与厚的电容器电极(11)实际上相同的厚度。

6.根据前面权利要求任何之一所述的半导体存储元件，其特征在于，下氧化层(4)中的接触孔(12，19)还包括金属材料，其中厚的电容器电极(11)由这种金属材料形成。

7.根据前面权利要求任何之一所述的半导体存储元件，其特征在于，薄的电容器电极(13)包括厚的电容器电极(11)相同的材料。

8.根据前面权利要求任何之一所述的半导体存储元件，其特征在于，厚的电容器电极(11)包括铂、铱、二氧化铱、钌、二氧化钌、钯、三氧化锶-钌或其化合物。

9.根据前面权利要求任何之一所述的半导体存储元件，其特征在于，材料(20)的插塞安排在接触孔(19)中，其中材料(20)与电容器(10)下电极(11)的厚度相同。

10.根据前面权利要求任何之一所述的半导体存储元件，其特征在于，插塞(21)提供在接触孔(11)的下部区域，在下氧化层(4)内，其中插塞(21)符合填充通道(12)的材料。