[发明专利]改进的静电放电二极管结构

权利要求书

1.一种对电路(110)进行静电放电保护的设备(210)，它具有4个相邻的区域，所述设备(210)包含：

由p型导电的半导体衬底构成的第一区域(310)和第三区域(330)；

由n型导电的半导体衬底构成的第二区域(320)和第四区域(340)；

其中，当所述第四区域(340)被连接到所述电路(110)的正电源线(140)时，所述第一区域(310)被用来连接到所述电路(110)的信号端子(115和120)，且其中，当所述第一区域(310)被连接到所述电路的地线(135)和负电源线之一时，所述第四区域(340)被用来连接到所述信号端子(115和120)。

2.权利要求1的设备(210)，其中所述第二、第三、和第四区域(320、330、340)被构造成产生具有提高了的增益的npn晶体管(440)。

3.权利要求1的设备(210)，还包含连接在所述第三区域和所述第一区域(310)之间的电阻器(R)。

4.一种对电路(110)进行静电放电保护的二端设备(210)，它包含：

4个半导体衬底区域，其中所述4个区域的导电类型在p型和n型之间交替；

所述4个区域的第一区域(310)是所述二端设备(210)的阳极(245)，而所述4个区域的第四区域(340)是所述二端设备(210)的阴极(250)，所述第一区域(310)是所述p型的；

其中，当所述阴极(250)被连接到所述电路(110)的正电源线(140)时，所述阳极(245)被用来连接到所述电路的信号端子(115和120)，且其中，当所述阳极(245)被连接到所述电路的地线(135)和负电源线之一时，所述阴极(250)被用来连接到所述信号端子(115和120)。

5.权利要求4的二端设备(210)，其中所述第二、第三、和第四区域(320、330、340)被构造成产生具有高增益的npn晶体管。

6.权利要求4的二端设备(210)，还包含连接在所述第一区域(310)和位于所述第四区域(340)和第二区域(320)之间的第三区域(330)之间的电阻器(R)。

7.一种保护电路装置，它包含：

具有输入端子(115)和输出端子(120)的电路(110)，所述电路(110)被连接到用来提供正电压的第一电源线(140)和用来提供负电压和地之一的第二电源线(135)；

用来对所述电路(110)进行抗静电放电保护的多个保护设备(210)，各个所述多个保护设备(210)具有由p型导电半导体衬底构成的第一区域(310)和第三区域(330)；以及由n型导电半导体衬底构成的第二区域(320)和第四区域(340)；

其中所述多个保护设备的第一保护设备的第一区域(310)以及所述多个保护设备的第二保护设备的第四区域(340)，被连接到所述输入端子(115)；且其中所述第一保护设备的第四区域(340)被连接到所述第一电源线(140)，而所述第二保护设备的第一区域(310)被连接到所述第二电源线(135)。

8.权利要求7的保护电路装置，其中所述多个保护设备的第三保护设备的第一区域(310)以及所述多个保护设备的第四保护设备的第四区域(340)，被连接到所述输出端子(120)；且其中所述第三保护设备的第四区域(340)被连接到所述第一电源线(140)，而所述第四保护设备的第一区域(310)被连接到所述第二电源线(135)。

9.权利要求7的保护电路装置，还包含连接到所述输入端子(115)的输入焊点(125)以及连接到所述输出端子(120)的输出焊点(130)。

10.权利要求7的保护电路装置，还包含连接在所述第一电源线(140)和所述第二电源线(135)之间的电源钳位结构(155)。