[实用新型]适合不同规格晶片的测试基座无效
申请号: | 00242733.8 | 申请日: | 2000-08-04 |
公开(公告)号: | CN2435839Y | 公开(公告)日: | 2001-06-20 |
发明(设计)人: | 沈明东 | 申请(专利权)人: | 群翼科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适合 不同 规格 晶片 测试 基座 | ||
1、一种适合不同规格晶片的测试基座,是用以放置具有一导电触点安装表面和数个安装于该导电触点安装表面上的导电触点的待测晶片,其特征在于包含:
一本体,该本体设有一顶面及一可从该顶面进入的槽沟;
一基板,该基板具有一布设有数个导电触点的表面,并且是被置放于该本体内使该表面经由该本体的槽沟进入,该基板还具有数个与其表面上的对应的导电触点电气连接且延伸至该本体外使适于与外部测试机台的测试电路电气连接的接脚;及
一用以在该待测晶片经由该槽沟而被置放于该基板上致使该待测晶片的导电触点与该基板的对应的导电触点电气连接时,对该待测晶片的与该导电触点安装表面相对的表面上施加一定的压力而确保该待测晶元的导电触点与该基板的对应的导电触点电气连接的压迫单元。
2、根据权利要求1所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该基板的导电触点是以导电胶形成。
3、根据权利要求2所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该待测晶片的导电触点为锡球,且该基板的导电触点是各形成有一用于放置该待测晶片的导电触点的导电触点容置凹坑。
4、根据权利要求3所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该基板的每一导电触点还包含一位于该导电触点容置凹坑内的向上延伸的刺针。
5、根据权利要求4所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该基板的导电触点的刺针是以导电胶形成。
6、根据权利要求1所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该压迫单元包括:
一对形成于该本体的顶面上,位于该开孔的一侧的安装凸耳;
一盖板,该盖板的一侧是可枢转地安装于该对安装凸耳之间,使该盖板枢转移动地位于一第一位置与一第二位置之间,在该第一位置中,该待测晶片是经由该槽沟而被置放于该基板上,而在该第二位置中,该槽沟是由该盖板遮敝,该盖板还在该盖板的与该被安装于该对安装凸耳之间的一侧相对的另一侧设有一卡钩体,及于该盖板的面对该本体的表面上设有使当该待测晶片被置放于该基板上且该盖板位于该第二位置时、提供一定的压迫力量于该待测晶片上的数个挠性元件;及
一形成于该本体的顶面上,位于该开孔另一侧的卡扣体,当该盖板位于该第二位置时,该卡钩体与该卡扣体卡扣以制止该盖板从该第二位置移动至该第一位置。
7、根据权利要求1所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该压迫单元包括:
一安装体,该安装体是被固定于该本体的顶面上,并且形成有一与该本体的槽沟对准的贯孔,该待测晶片是经由该贯孔和该槽沟而置放于该基板上,该安装体于安装体两相对侧是各形成一向上延伸的垂直延伸部及于各垂直延伸部的自由端形成一朝另一垂直延伸部延伸的水平延伸部,使在对应的水平和垂直延伸部与该安装体之间形成一滑槽;及
一盖板,该盖板具有两相对的边缘部份,该边缘部份是可滑移地插置于对应的滑槽内,使该盖板可移动地位于一第一位置与一第二位置之间,其中,在该第一位置中,该待测晶片是经由该贯孔和该槽沟而被置放于该基板上,而在该第二位置中,该贯孔和该槽沟是由该盖板遮敝,该盖板还于该盖板的面对该本体的表面上设有数个当该待测晶片被置放于该基板上且该盖板位于该第二位置时、提供一定的压迫力量于该待测晶片上的挠性元件。
8、根据权利要求1所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:该压迫单元包含:
一对分隔设置的呈C形的保持元件,各保持元件是可枢转地放置于该本体的槽沟内,并且具有一连接壁及分别从该连接壁的上端和下端水平地向另一连接壁延伸出来的上壁和下壁,各保持元件的连接壁的两端是枢转地安装于该开孔的两相对的孔壁,使各保持元件是可移动地位于一第一位置与一第二位置之间,其中,在该第一位置中,该保持元件的开口朝上而容许该待测晶片经由该槽沟置放于该基板上,在该第二位置中,该保持元件的开口是彼此相对,各保持元件还于其上壁的下表面上设有使得当该待测晶片被置于该基板上且该保持元件位于该第二位置时提供一定的压迫力量于该待测晶片上的数个挠性元件。
9、根据权利要求1所述的适合不同规格晶片的测试基座,其特征在于:在该本体的顶面上,位于该槽沟两侧的每一侧上,是设有一对分隔的向上延伸的安装柱,而于该本体的顶面上,位于每一角落近处,是设有一向上延伸的套设有一螺旋弹簧的导柱,该压迫单元包括:
两压制板,各压制板的一侧是可枢转地安装于对应的一对安装柱之间,以致于各压制板是枢转移动地位于一第一位置与一第二位置之间,其中,在该第一位置中,各压制板的自由端是接近该本体的槽沟且延伸至该槽沟的中央附近,在该第二位置中,各压制板的自由端是远离该本体的槽沟且没有延伸至该槽沟的范围而允许该待测晶片至该基板上的置放或该待测晶片从该基板上的离开;及
一作动体,该作动体为一具有两相对的压迫壁和两用以连接该压迫壁的相对的连接壁的框体,在该作动体的下表面上,是对应于该导柱设有数个供对应的导柱可滑动地插入的导孔,该作动体是可相对而移动地位于于该本体一释放位置与一受压位置之间,其中,在该释放位置中,该作动体是远离该本体,而在该受压位置中,该作动体是接近该本体,在该作动体的各压迫壁的下表面上,对应于对应的压制板的地方,是形成有一斜面,以致于当该作动体从该释放位置移动至该受压位置时,致使该压制板从该等一位置枢转至该第二位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造