[发明专利]形成透明导电基板的方法无效
| 申请号: | 00133509.X | 申请日: | 2000-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN1353450A | 公开(公告)日: | 2002-06-12 |
| 发明(设计)人: | 许江龙 | 申请(专利权)人: | 赫飞科技开发股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/08 | 分类号: | H01L21/08;H01L27/14 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘朝华 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 透明 导电 方法 | ||
本发明是关于一种形成透明导电基板的方法,特别是关于一种形成透明导电性薄膜以做为透明电极的方法,适用于太阳电池、光影像感测器、电致发光显示器、以及液晶显示器面板等不同的领域。
随着光电工程技术的快速发展,无论是太阳电池(solar cells)、光影像感测器(optical image sensors)、电浆平面显示器(plasma displaypanel)、电致发光显示器(electroluminescence display)、以及液晶显示器面板等光电产品,都已逐渐发展成熟,而为人类的生活带来极大的改变。
在上述光电产业中,不同的光电产品各需要不同的制程材料及零组件,然而透明导电基板是其共同的需求,而不可缺少的。透明导电基板是在一透明的基板上形成透明导电薄膜,以做为驱动光电产品之用的透明电极。透明导电薄膜通常是铟锡合金氧化膜(Indium Tin Oxide;1TO),利用氧化铟和氧化锡以比率混合制成靶材,再经由溅镀制程(sputter)或真空蒸镀制程(vacuumvaporation)在透明基板上形成薄膜。其主要缺陷在于:
1、传统的透明导电基板是将透明导电薄膜直接形成在透明玻璃上。此制程所形成的透明导电基板不仅容易受潮及弄脏,更因透明玻璃没有弹性,而使得所形成的透明导电基板容易刮伤、变形、甚至崩裂。
2、传统的铟锡合金氧化膜反光率比较大,使所形成的透明导电基板的透光率受到局限,无法满足现代光电产品的要求。
因此,发展出一种不仅具有防水、防污、防蚀、防燃等功能,及具有极佳的柔软性、抗摩擦性、抗刮伤性的透明导电基板,便成为光电业者一项重要的课题。
本发明的主要目的是提供一种形成透明导电基板的方法。
本发明的次要目的是提供一种形成透明导电性薄膜以做为透明电极的方法。
本发明的再一目的是提供一种具有透明导电薄膜的透明导电基板。
本发明的目的是这样实现的:一种形成透明导电基板的方法,其特征在于:它包括如下步骤:
A、提供第一透明基板;
B、在所述第一透明基板的第一表面上形成透明导电薄膜;
C、提供第二透明基板;
D、在所述第二透明基板的第一表面上形成一保护层;
E、在所述第二透明基板的第二表面上形成一粘着层;
F、将所述第二透明基板与所述第一透明基板相粘着,其中所述第二透明基板系以所述粘着层贴附至所述第一透明基板的第二表面。
在形成所述透明导电薄膜之前,包含形成一底层的步骤,其中所述底层是以硅甲烷所形成的二氧化硅层。所述透明导电薄膜系一铟锡合金氧化膜,其厚度介于0.01微米至0.5微米之间。所述保护层的厚度介于0.01微米至15微米之间。所述粘着层的厚度介于1微米至15微米之间。
一种形成透明导电基板的方法,它包括如下步骤:
a、提供第一透明基板;
b、在所述第一透明基板的第一表面上形成一透明导电薄膜;
c、在所述第一透明基板的第二表面上形成一粘着层;
d、提供第二透明基板;
e、在所述第二透明基板的第一表面上形成一保护层;
f、将所述第一透明基板与所述第二透明基板相粘着,其中所述第一透明基板系以所述粘着层贴附至所述第二透明基板的第二表面。
在形成所述透明导电薄膜之前,包括形成一底层的步骤,其中所述底层是以硅甲烷所形成的二氧化硅层。所述透明导电薄膜系一铟锡合金氧化膜,其厚度介于0.01微米至0.5微米之间。所述保护层的厚度介于0.01微米至15微米之间。所述粘着层的厚度介于1徵米至15微米之间。
总之,本发明揭露一种形成透明导电基板的方法。首先提供第一透明基板,并在所述第一透明基板的第一表面上陆续形成一底层和一透明导电薄膜。接下来提供第二透明基板,并在所述第二透明基板的第一表面上形成一保护层。接下来在所述第二透明基板的第二表面上形成一粘着层,并将所述第二透明基板与所述第一透明基板相粘着,其中所述第二透明基板系以所述粘着层贴附至所述第一透明基板的第二表面上。
在本发明的另一个实施例中,亦可以将所述粘着层涂上所述第一透明基板上,再将所述第二透明基板与所述第一透明基板相粘着,可以达到相同的效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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