[发明专利]形成透明导电基板的方法无效
| 申请号： | 00133509.X | 申请日： | 2000-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1353450A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 许江龙 | 申请（专利权）人： | 赫飞科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/08 | 分类号： | H01L21/08;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 透明 导电 方法 | ||
1、一种形成透明导电基板的方法，其特征在于：它包括如下步骤：
A、提供第一透明基板；
B、在所述第一透明基板的第一表面上形成透明导电薄膜；
C、提供第二透明基板；
D、在所述第二透明基板的第一表面上形成一保护层；
E、在所述第二透明基板的第二表面上形成一粘着层；
F、将所述第二透明基板与所述第一透明基板相粘着，其中所述第二透明基板系以所述粘着层贴附至所述第一透明基板的第二表面。
2、如权利要求1所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：在形成所述透明导电薄膜之前，包含形成一底层的步骤，其中所述底层是以硅甲烷所形成的二氧化硅层。
3、如权利要求1所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述透明导电薄膜系一铟锡合金氧化膜，其厚度介于0.01微米至0.5微米之间。
4、如权利要求1所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述保护层的厚度介于0.01微米至15微米之间。
5、如权利要求1所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述粘着层的厚度介于1微米至15微米之间。
6、一种形成透明导电基板的方法，其特征在于：它包括如下步骤：
a、提供第一透明基板；
b、在所述第一透明基板的第一表面上形成一透明导电薄膜；
c、在所述第一透明基板的第二表面上形成一粘着层；
d、提供第二透明基板；
e、在所述第二透明基板的第一表面上形成一保护层；
f、将所述第一透明基板与所述第二透明基板相粘着，其中所述第一透明基板系以所述粘着层贴附至所述第二透明基板的第二表面。
7、如权利要求6所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：在形成所述透明导电薄膜之前，包括形成一底层的步骤，其中所述底层是以硅甲烷所形成的二氧化硅层。
8、如权利要求6所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述透明导电薄膜系一铟锡合金氧化膜，其厚度介于0.01微米至0.5微米之间。
9、如权利要求6所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述保护层的厚度介于0.01微米至15微米之间。
10、如权利要求6所述的形成透明导电基板的方法，其特征在于：所述粘着层的厚度介于1徵米至15微米之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
