[发明专利]积层陶瓷电子元件的制造方法

权利要求书

1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层(7)和内部电极(5)、(6)的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，以200-1200L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉(21)内，同时在烧成炉(21)内对陶瓷积层体(3)进行烧成。

2．根据权利要求1记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，环境气的流量比为300～900L/g。

3．根据权利要求1或2中记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是使烧成炉(21)内的环境气与陶瓷积层体(3)的送入方向相反的方向通入。

4．根据权利要求1-3中任一项记载的积层电容器的制造方法，特征是烧成炉内的环境气平均流速为5～50m/min。

5．根据权利要求1-4中任一项记载的积层电容器的制造方法，特征是烧成炉内环境气的平均流速为15～40m/min。

6．根据权利要求1-5中任何一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是从烧成炉(21)的两侧分别独立地供入环境气。

7．根据权利要求6记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是上述环境气的供入是从烧成炉(21)的供给管直接供入到烧成炉(21)内的。

8．根据权利要求1-7中任一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是将未烧成的陶瓷积层体(3)载置在棚板(13)、(14)上，将该棚板(13)、(14)送入烧成炉(21)内，对陶瓷积层体(3)烧成后，将棚板(13)、(14)从烧成炉(21)中取出。

9．根据权利要求8记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是将上述棚板(13)、(14)数层重叠，在棚板(13)、(14)和棚板(13)、(14)之间设置间隙。