[发明专利]TV窗口中双倍熔丝密度

权利要求书

1.一种在多层半导体器件中使用的熔丝结构，包括：

通过多层半导体器件的第一层上的开口安排在一端的至少两个熔丝；及

熔丝之间用于连接熔丝的导电结构。

2.根据权利要求1的熔丝结构，还包括：

至少一对与每个熔丝相关连的用于将熔丝的两端连至导电结构的通路。

3.根据权利要求2的熔丝结构，其中用于将至少两个熔丝导电地连接的结构包括一个安排在多层半导体器件的第二层内的导电连接器，及其中这些通路将至少两个熔丝连至该导电连接器。

4.根据权利要求3的熔丝结构，其中用于将至少两个熔丝导电地连接的结构还包括一个至少对于这些至少两个熔丝是公共的门导体，其中该公共门导体电气地连至连接器并安排在多层半导体器件的第三层。

5.根据权利要求3的熔丝结构，还包括：

至少一个用于将公共门导体连至导电连接器的通路。

6.根据权利要求3的熔丝结构，还包括：

多个熔丝，其中该门导体对于所有熔丝都是公共的。

7.根据权利要求1的熔丝结构，其中该熔丝结构安排在多层半导体器件的端子窗口内。

8.根据权利要求1的熔丝结构，其中熔丝是激光熔断熔丝。

9.一种用于形成多层半导体器件中的熔丝的方法，该方法包括以下步骤：

形成一层导电连接器层；

形成从连接器层伸出的通路；及

形成至少两个连至通路的及通过连接器层彼此连接的熔丝。

10.根据权利要求9的方法，还包括以下步骤：

形成一个对所有熔丝都公共的门导体；及

形成从门导体伸出的用于将公共门导体连至连接器层的通路。

11.根据权利要求9的方法，其中该熔丝结构在多层半导体器件的端子窗口内形成。