[发明专利]铁电薄膜的制造方法、铁电电容器、铁电存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 00121579.5 | 申请日： | 2000-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1285617A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 那须彻;林慎一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 电容器 存储器 及其 | ||
1．一种铁电薄膜的制造方法，其特征在于包括：至少其表面形成为球状晶体结构的导电层的所述表面上，形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜的工序。
2．根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其中：所述铁电薄膜形成工序包括：将包含金属有机化合物的前驱体溶液供到所述导电层的所述表面上并将它烧结起来的工序。
3．根据权利要求2所述的铁电薄膜的制造方法，其中：所述金属有机化合物在一个分子中包含二个以上的金属原子。
4．根据权利要求1到3中任一项所述的铁电薄膜的制造方法，其中：所述铁电薄膜形成工序是在700℃以下的状态下进行的。
5．根据权利要求1所述的铁电薄膜的制造方法，其中：上述具有层状结构的铁电薄膜是一具有铋层状结构的铁电薄膜。
6．根据权利要求5所述的铁电薄膜的制造方法，其中：所述具有铋层状结构的铁电薄膜包含少量的至少从Mn、La、Ce和Dy所构成的组中选出的一种元素。
7．一种铁电电容器，其特征在于包括：
至少其表面形成为球状晶体结构的下部电极；和
形成在所述下部电极的所述表面上的电容绝缘膜，
所述电容绝缘膜是由具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜构成的，该铁电薄膜是通过将含有在它的一个分子中包含两个以上金属原子的金属有机化合物的前驱体溶液供到所述下部电极的所述表面上并将它烧结起来而得到的。
8．一种铁电电容器，其特征在于包括：
至少其表面形成为球状晶体结构的下部电极；和
形成在所述下部电极的所述表面上的电容绝缘膜，
所述电容绝缘膜是在所述下部电极的温度为700℃以下的状态下形成，且由具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜构成。
9．一种铁电存储器，其包括：形成有半导体集成电路的基板；和形成在所述基板上的铁电电容器，其特征在于：
所述铁电电容器具有：至少其表面形成为球状晶体结构的下部电极；和形成在所述下部电极的所述表面上，且由具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜构成的电容绝缘膜，
所述铁电电容器为叠层型结构。
10．一种铁电存储器的制造方法，其特征在于包括：至少其表面形成为球状晶体结构的导电层的所述表面上，形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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