[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征是包括在形成了第1场效应管以及第2场效应管的半导体基板上堆积的保护绝缘膜、

在所述保护绝缘膜上由从下依次形成的容量下部电极、由绝缘性金属氧化物所构成的容量绝缘膜以及容量上部电极所构成的电容元件、

与在所述保护绝缘膜上形成并且成为所述第1场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层和所述容量下部电极直接连接的第1导电芯柱、

与在所述保护绝缘膜上形成并且成为所述第2场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层和所述容量上部电极直接连接的第2导电芯柱。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述容量绝缘膜形成为和所述容量下部电极相同形状，

进一步包括在所述容量下部电极以及容量绝缘膜的侧面所形成的绝缘性侧壁，

所述容量上部电极在所述容量绝缘膜以及侧壁上形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是所述侧壁由氧化硅构成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述容量下部电极在所述保护绝缘膜上形成多个，

进一步包括在所述多个容量下部电极相互之间形成的绝缘膜，

所述容量绝缘膜形成为横跨所述多个容量下部电极以及所述绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征是所述绝缘膜由氧化硅构成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是进一步包括完全覆盖所述容量上部电极的氢势垒膜。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述第1导电芯柱以及第2导电芯柱由多晶硅或者钨构成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述容量绝缘膜由具有铋层状钙钛矿构造的铁电体、钛酸钴铅、钛酸缌钡或者五氧化钽构成。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征是包括在形成了第1场效应管以及第2场效应管的半导体基板上堆积保护绝缘膜的工序、

与在所述保护绝缘膜上形成与成为第1场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层连接的第1导电芯柱、以及与成为第2场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层连接的第2导电芯柱的工序、

在所述保护绝缘膜上形成与所述第1导电芯柱直接连接容量下部电极的工序、

在所述容量下部电极上形成由绝缘性金属氧化物构成的容量绝缘膜的工序、

在所述容量绝缘膜上形成其周缘部位于所述保护绝缘膜上并且在所述周缘部中与所述第2导电芯柱直接连接的容量上部电极的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征是进一步包括形成覆盖所述容量上部电极的氢势垒膜的工序。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征是形成所述容量绝缘膜的工序包含和所述容量下部电极相同形状形成所述容量绝缘膜的工序，

在形成所述容量绝缘膜的工序和形成所述容量上部电极的工序之间，进一步包括在所述容量下部电极以及容量绝缘膜的侧面形成绝缘性侧壁的工序，

形成所述容量上部电极工序包含在所述容量绝缘膜以及侧壁上形成所述容量上部电极的工序。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征是形成所述容量下部电极的工序包含在所述保护绝缘膜上形成多个容量下部电极的工序，

在形成所述容量下部电极的工序和形成所述容量绝缘膜的工序之间，进一步包括在所述多个容量下部电极相互之间形成绝缘膜的工序，

形成所述容量绝缘膜的工序包含横跨所述多个容量下部电极以及绝缘膜形成所述容量绝缘膜的工序。