[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征是：

覆盖半导体器件衬底(100)的第一互连(114)；

覆盖第一互连(114)的绝缘势垒层(122)；

覆盖部分第一互连(114)和部分绝缘势垒层(122)的键合焊点互连(128)；

覆盖部分键合焊点互连(128)的导电势垒层(82)，此导电势垒层(82)延伸到部分键合焊点互连(128)的边沿区以外；以及

覆盖导电势垒层(82)的钝化层(92)，此钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。

2.权利要求1的半导体器件，其进一步特征是覆盖导电势垒层(82)的抗氧化层(84)。

3.权利要求1的半导体器件，其中部分导电势垒层(82)是至少二个导电区之间的激光可改变的连接。

4.一种半导体器件，其特征是：

半导体器件衬底(100)上的键合焊点互连(128)；

覆盖键合焊点互连(128)的钝化层(22)，此钝化层具有暴露部分键合焊点互连(128)的窗口(24)；以及

覆盖部分键合焊点互连(128)的窗口(24)中的导电势垒层(32)。

5.权利要求1或4的半导体器件，其中键合焊点互连(128)主要包括铜，而导电势垒层(32，82)包括含难熔金属的材料。

6.一种制作半导体器件的方法，其特征是：

制作覆盖半导体器件衬底(100)的第一互连(114)；

制作覆盖第一互连(114)的绝缘势垒层(122)；

制作覆盖部分第一互连(114)和部分绝缘势垒层(122)的键合焊点互连(128)；

制作覆盖部分键合焊点互连(128)的导电势垒层(82)，此导电势垒层(82)延伸到部分键合焊点互连(128)的边沿区以外；

制作覆盖导电势垒层(82)的钝化层(92)，以及

在钝化层(92)中制作窗口，其中的窗口暴露部分导电势垒层(82)。

7.权利要求6的方法，其中在钝化层(92)中制作窗口还包含：

在钝化层(92)中制作局部窗口(94)，其中局部窗口的深度小于形成局部窗口处的钝化层区域中钝化层的厚度；

在钝化层(92)上制作管芯涂敷层(1001)；

在管芯涂敷层中制作窗口(1003)，其中在管芯涂敷层中制作窗口暴露了钝化层(92)中的局部窗口(94)；以及

腐蚀钝化层(92)中的局部窗口，以便在形成管芯涂敷层(1001)中的窗口(1003)之后暴露下方的层。

8.权利要求6的方法，其进一步特征是：

在制作钝化层(92)中的窗口之后，清除部分导电势垒层(82)，其中的部分导电势垒层(82)具有深度；以及

在清除部分导电势垒层(82)之后，在导电势垒层(82)上制作导电凸块(1230)。

9.一种制作半导体器件的方法，其特征是：

在半导体器件衬底(100)上制作互连(128)；

在互连(128)上制作钝化层(22)；

在钝化层(22)中制作窗口(24)，此窗口(24)暴露部分互连(128)；以及

在窗口(24)中制作导电势垒层(32)，此导电势垒层(32)覆盖暴露的部分互连(128)。

10.权利要求6或9的方法，其中键合焊点互连(128)主要包括铜，而导电势垒层(32，82)包括含难熔金属的材料。