[发明专利]有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法有效
申请号: | 200980144265.6 | 申请日: | 2009-11-02 |
公开(公告)号: | CN102203107A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 中村浩一郎 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
主分类号: | C07F9/72 | 分类号: | C07F9/72;A62D3/176;A62D3/30;B01J31/22;B01J35/02;A62D101/40;A62D101/43 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有害 化合物 无害化 方法 有机半导体 元素 制造 | ||
1.一种有害化合物的无害化方法,其中,该方法包括:对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射,从而使有害化合物甲基化,该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。
2.如权利要求1所述的无害化方法,其中,所述有机钴络合物为式(I)表示的维生素B12类化合物,
式中,R1表示CN、OH或CH3,各Y相同或不同,表示NH2、OH、ONa或OCH3。
3.如权利要求1所述的无害化方法,其中,使所述有害化合物三甲基化。
4.如权利要求3所述的无害化方法,其中,包括:使所述三甲基化的有害化合物进一步与卤代乙酸反应。
5.如权利要求1所述的无害化方法,其中,所述有害化合物对小鼠的半数致死量LD50为20mg/kg以下。
6.如权利要求1所述的无害化方法,其中,所述有害化合物含有M-O、M-S、M-X、M-CN或M-Ph表示的键,M表示砷原子、锑原子或硒原子,X表示卤素原子,Ph表示苯基。
7.如权利要求1所述的无害化方法,其中,所述有害化合物为选自由亚砷酸、五氧化二砷、三氯化砷、五氯化砷、硫化砷化合物、氰基砷化合物和氯砷化合物组成的组中的至少一种化合物。
8.如权利要求1所述的无害化方法,其中,所述甲基供体为卤代甲基、RSO3CH3表示的化合物、甲醇或三甲基卤化亚砜,R表示烷基或可以具有取代基的苯基。
9.如权利要求8所述的无害化方法,其中,所述甲基供体为RSO3CH3表示的化合物或三甲基卤化亚砜,R表示甲基或可以具有取代基的苯基。
10.一种有机半导体元素化合物的制造方法,其中,该方法包括:对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、烷基供体、二氧化钛光催化剂和半导体元素化合物进行光照射,该半导体元素化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。
11.如权利要求10所述的有机半导体元素化合物的制造方法,其中,所述烷基供体为甲基供体,
所述半导体元素化合物含有砷原子,
通过使所述半导体元素化合物三甲基化而得到三甲基砷。
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