[发明专利]电子束器件的阴极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 99813845.2 | 申请日： | 1999-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1328693A | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 崔钟书;金润昶;朱圭楠;N·奥索伦科;V·舒托韦斯基;O·库尔塔谢夫 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社;尼科斯－伊科有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王其灏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种电子束器件的阴极材料,它含有0.5到9.0%(重量)的铈族稀土金属,0.5到15.0%重量的钨和/或铼,0.5到10.0%(重量)的铪和剩余的为铱。因为该阴极材料具有优良的可塑性,很容易于制造小尺寸的发射器。此外,还因为该阴极材料的电子发射密度高而工作温度低,因此可以确保有长的寿命。此外,该阴极材料可以用作电子束器件的阴极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 器件 阴极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子束器件的阴极材料，所述阴极材料含有0.5到9.0％(重量)的一种铈族稀土金属、0.5到15.0％(重量)的钨和/或铼，0.5到10％(重量)的铪和剩余的为铱。
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